[发明专利]成像元件和成像方法无效
申请号: | 201310282026.5 | 申请日: | 2013-07-05 |
公开(公告)号: | CN103545331A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 武田健 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/3745 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 黄剑飞 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 成像 元件 方法 | ||
1.一种成像元件,包括:
触件部分,将累积电荷的第一区域和第二区域彼此连接起来;
第一传输部分,形成于所述第一区域和所述触件部分之间;
第二传输部分,形成于所述第二区域和所述触件部分之间。
2.如权利要求1所述的成像元件,
其中,所述第一区域是光电转换部分,以及
其中,所述第二区域是电荷保持部分,其保持在所述光电转换部分中累积的电荷。
3.如权利要求1所述的成像元件,
其中,在所述第一区域中累积的电荷被发送到所述第二区域之前,由暗电流生成的电荷通过断开所述第一传输部分以及接通所述第二传输部分而被排出,以及
其中,在所述电荷的排出结束之后,所述第一区域中累积的电荷通过接通所述第一和第二传输部分被发送到所述第二区域。
4.如权利要求1所述的成像元件,
其中,第三传输部分连接到所述触件部分,以及
其中,在除了其中在所述第一区域中累积的电荷被发送到所述第二区域的时段之外的时段期间,由暗电流生成的电荷由所述第三传输部分排出。
5.如权利要求1所述的成像元件,其中所述第一和第二区域在不同基片或不同材料上形成。
6.如权利要求1所述的成像元件,
其中,所述第一区域是第一电荷保持部分,其保持所述在光电转换部分中累积的电荷的至少一部分,以及
其中,所述第二区域是第二电荷保持部分,其保持来自所述第一电荷保持部分的电荷。
7.如权利要求1所述的成像元件,
其中,所述第一区域是光电转换部分,以及
其中,所述第二区域是输出部分,其把在所述光电转换部分中累积的电荷输出到信号线。
8.一种成像元件的成像方法,该成像元件包括把累积电荷的第一区域和第二区域彼此连接起来的触件部分、形成于所述第一区域和所述触件部分之间的第一传输部分、形成于所述第二区域和所述触件部分之间的第二传输部分,所述成像方法包括:
在所述第一区域中累积的电荷被发送到所述第二区域之前,通过断开所述第一传输部分以及接通第二传输部分而排出由暗电流生成的电荷,以及
在所述电荷的排出结束之后,通过接通所述第一和第二传输部分,把在所述第一区域中累积的电荷发送到所述第二区域。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼公司,未经索尼公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的