[发明专利]编程记忆胞的方法与装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种记忆胞，特别是涉及一种记忆胞的编程方法。

背景技术

快闪记忆体(例如NAND型快闪记忆体)是一种非易失性储存元件,被广泛使用于电脑记忆体、记忆卡、USB随身盘以及固态硬盘中。快闪记忆体包括有记忆胞阵列，快闪记忆体的记忆胞类似于一般MOS晶体管，但快闪记忆胞具有额外的浮栅(floating gate),此浮栅形成于控制栅及通道之间,且绝缘于控制栅及通道。具有额外浮栅的MOS结构有时被称为浮栅MOS晶体管。快闪记忆胞因电荷是否存在于浮栅而有不同的临界电压，举例而言,当浮栅中没有电荷时，记忆胞的临界电压较低，代表着二进位值「0」或「1」；而当电荷被注入而困于浮栅时，记忆胞的临界电压较高，代表另外一个二进位值。

快闪记忆胞的编程方法可使用增量步进脉冲编程(Incremental step pulse programming,ISPP),此方法是反复施加电子脉冲波至记忆胞的控制栅,在每次施加电子脉冲波时其电压逐次增加。在本发明中,每次施加电子脉冲波至记忆胞、或是电子脉冲波同时施加至不同的记忆胞,称做单次击发（shot）。图1A是绘示如上所述以电子脉冲波编程快闪记忆体的编程程序的示意图，其中横轴为击发数目(举例而言，横轴的5代表第5次施加电子脉冲波)，纵轴为记忆胞的临界电压。如此的编程程序结束于记忆胞的临界电压大于等于编程验证电压V_PV的时候。然而由于诸多变因，例如编程的方式以及记忆胞间的变异，各记忆胞编程后的临界电压存在一分布情形。图1B是绘示记忆胞编程前与编程后的临界电压分布图。由于编程程序结束于记忆胞的临界电压大于等于编程验证电压V_PV的时候，因此编程后的分布会截止于编程验证电压V_PV。而使编程后的临界电压分布范围较小，这目前业界所致力的课题之一。

发明内容

本发明的目的在于，克服现有的编程记忆胞的方法与装置存在的缺陷，而提供一种新的编程记忆胞的方法与装置，所要解决的技术问题是使其在有限的临界电压操作范围中有小的临界电压分布，非常适于实用。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种编程记忆胞的方法。该方法包括施加一编程电压至一记忆胞阵列中的一被选择记忆胞，施加一邻近通过电压至一邻近记忆胞，该邻近记忆胞相邻于该被选择记忆胞，增加该编程电压，以及增加该邻近通过电压。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的编程记忆胞的方法，其中增加该编程电压的步骤包括：增加该编程电压直到该被选择记忆胞的一临界电压到达一第一编程验证电压。

前述的编程记忆胞的方法，其中增加该邻近通过电压的步骤包括：在该被选择记忆胞的一临界电压到达一第一编程验证电压之后，增加该邻近通过电压。

前述的编程记忆胞的方法，其中增加该邻近通过电压的步骤包括：增加该邻近通过电压直到该临界电压到达一第二编程验证电压，该第二编程验证电压高于该第一编程验证电压。

前述的编程记忆胞的方法，还包括：施加一通过电压至该记忆胞阵列中的其他记忆胞，该通过电压在该编程记忆胞的方法中维持大约相同。

前述的编程记忆胞的方法，还包括：当增加该编程电压时，维持该邻近通过电压大约相同。

前述的编程记忆胞的方法，其中维持该邻近通过电压大约相同的步骤包括：维持该邻近通过电压大约相同于施加至该记忆胞阵列中其他记忆胞的一通过电压，该通过电压在该编程记忆胞的方法中维持大约相同。

前述的编程记忆胞的方法，还包括：当增加该邻近通过电压时，维持该编程电压大约相同。

前述的编程记忆胞的方法，其中维持该编程电压大约相同的步骤包括：维持该编程电压大约相同于该临界电压到达该第一编程验证电压时该编程电压的一电压值。

前述的编程记忆胞的方法，其中该施加电压的步骤包括以脉冲波形式施加该编程电压以及施加该邻近通过电压。

前述的编程记忆胞的方法，其中增加该编程电压的步骤包括以脉冲波增加该编程电压的脉冲波。

前述的编程记忆胞的方法，其中增加该邻近通过电压的步骤包括以脉冲波增加该邻近通过电压的脉冲波。

前述的编程记忆胞的方法，其中施加该邻近通过电压至该邻近记忆胞的步骤包括：施加一电压作为该邻近通过电压，该电压足以导通该邻近记忆胞。