[发明专利]非周期宽带响应电光调制器的制备方法有效

专利信息
申请号: 201310282524.X 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN103309057A 公开(公告)日: 2013-09-18
发明(设计)人: 李俊;陈险峰;邹芸;邓学伟 申请(专利权)人: 上海交通大学
主分类号: G02F1/035 分类号: G02F1/035
代理公司: 上海交达专利事务所 31201 代理人: 王毓理;王锡麟
地址: 200240 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 周期 宽带 响应 电光 调制器 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种非周期宽带响应电光调制器的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤一、选择一种在生长过程中长成沿介电体光轴方向自发极化的铁电单畴晶体;

步骤二、选择单个样本作用电畴区域宽度d和作用电畴总数目N,其中:d满足在现有室温电场极化的技术条件下实现电畴反转,同时小于电光调制器的电畴宽度Λ;N满足N×d≤L,L为铁电单畴晶体长度;

步骤三、计算得到每个电畴区域的极化方向以获得每个正负电畴的排列顺序,从而形成非周期性光学超晶格;

步骤四、对非周期性光学超晶格结构进行室温电场极化,制作出实体结构;

步骤五、在步骤四所得的非周期性光学超晶格的+Z面上利用蒸镀的方式制备行波电极,并在行波电极的尾部串联一个高频电阻,于非周期性光学超晶格结构的晶体前设置一块偏振器从而得到工作在室温下,能够对多频率响应的电光调制器,其中:X轴、Y轴位于水平面,Z轴位于垂直面,+Z面是与水平面垂直并面向Z轴正方向。

2.根据权利要求1所述的方法,其特征是,所述的步骤三的排列顺序具体是指选定模拟退火算法的目标函数F,对正负电畴的排列顺序进行优化计算使得目标函数最大:

F=ΣT(n)-10·Nσ;μ=ΣT(n)N;]]>σ=1N-1Σ(T(n)-μ)2;]]>

T(n)=1.5×108·g(n)·sin((2n-1)λfmπ1.5·108)·sin(λfmπ1.5·108)fmπ,]]>其中:

F是目标函数,N是电畴区域数目,μ是样本均值,σ是均方差值,T(n)是样本各个电畴区域的调制强度,g(n)代表每个电畴区域的电畴方向,电畴方向为正则g(n)=1,电畴方向为负则g(n)=-1;n代表电畴区域的序号;fm代表微波频率;λ代表确定的入射光波长。

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