[发明专利]控制高马赫数激波与附面层干扰流动分离的装置

权利要求书

1.一种用于控制高马赫数激波与附面层干扰流动分离的装置，其特征在于，包括：基部分流楔与尾缘微型涡流发生器，其中：后仰楔形结构的基部分流楔设置于激波与附面层干扰区的前端且距离，即后缘到激波入射点的距离，小于等于3个附面层的厚度，尾缘微型涡流发生器设置于基部分流楔的尾缘。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征是，所述基部分流楔的前、后缘高度H₂、H₁以及宽度D和长度L分别满足的条件为：0≤H₂≤H₁≤δ；2H₁≤D≤5H₁；4H₁≤L≤10H₁；其中：δ为来流附面层的厚度。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征是，所述的尾缘微型涡流发生器采用一个涡流发生单元或多个涡流发生单元排列构成，其中：每个涡流发生单元的水平最大高度h和轴向最大长度l满足：0≤h≤0.3H₁；0≤l≤0.5H₁，其中：H₁为基部分流楔的后缘高度。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征是，所述的涡流发生单元的形状采用圆柱形、锯齿形、后仰型楔形或前倾型楔形结构。

5.根据权利要求3所述的装置，其特征是，所述的排列采用中心轴对称的方式。

6.根据权利要求3所述的装置，其特征是，所述的排列采用轴向垂直的单排多个方式、轴向垂直的双排对齐方式或双排交错等排列方式。