[发明专利]多层陶瓷电子元件及其制造方法以及用于安装的板

权利要求书

1.一种多层陶瓷电子元件，包括：

陶瓷本体，该陶瓷本体包括沿厚度方向堆叠的多个电介质层，并且当所述陶瓷本体的宽度定义为W以及所述陶瓷本体的厚度定义为T时，满足T/W>1.0；

多个第一内电极和第二内电极，该多个第一内电极和第二内电极布置在所述陶瓷本体中以相互朝向，所述第一内电极和第二内电极之间插入有所述电介质层，并交替地通过所述陶瓷本体的两个端面暴露；以及

第一外电极和第二外电极，该第一外电极和第二外电极分别形成在所述陶瓷本体的两个端面上并且电连接至所述第一内电极和第二内电极，

其中，当所述陶瓷本体沿宽度方向分为五个区，并且在所述五个区中，中间区定义为CW1，邻近所述中间区CW1的区定义为CW2和CW3时，所述中间区CW1的电极连通性与邻近所述中间区CW1的所述区CW2或CW3的电极连通性的差满足0.02≤(CW2或CW3)-CW1≤0.10。

2.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述陶瓷本体满足1.2≤T/W≤3.0。

3.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当所述第一内电极和第二内电极沿所述宽度方向分为三个区，并且在所述三个区中，中间区定义为EW1，邻近所述中间区EW1的区定义为EW2和EW3时，邻近所述中间区EW1的所述区EW2或EW3的厚度与所述中间区EW1的厚度的比率(EW2或EW3)/EW1满足1.10≤(EW2或EW3)/EW1≤2.00。

4.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，在所述陶瓷本体的所述五个区中，所述中间区CW1具有85%或者大于85%的电极连通性，邻近所述中间区CW1的所述区CW2和CW3具有80%或者大于80%的电极连通性。

5.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，所述第一内电极和第二内电极的平均厚度为0.2μm-0.85μm。

6.根据权利要求1所述的多层陶瓷电子元件，其中，当所述陶瓷本体的厚度定义为Hc，并且从所述陶瓷本体的底部到最上方的内电极的距离定义为He时，满足He<Hc。

7.一种制造多层陶瓷电子元件的方法，该方法包括：

制备陶瓷基片；

使用包含金属粉末的导电胶在所述陶瓷基片上形成内电极图案；

堆叠形成有所述内电极图案的所述陶瓷基片以使得所述内电极图案相互朝向，使得所述陶瓷基片插入到所述内电极图案之间，并对所述陶瓷基片施加压力以制备多层体，当所述多层体的宽度定义为W，并且所述多层体的厚度定义为T时，所述多层体满足T/W>1.0；

沿着限定单个电容器的尺寸的线切割所述多层体，并对切割的多层体进行烧结以制备陶瓷本体，以使得第一内电极和第二内电极通过所述陶瓷本体的两个端面交替地暴露；以及

在所述陶瓷本体上形成第一外电极和第二外电极，以使得该第一外电极和第二外电极分别电连接至所述第一内电极和第二内电极，

其中，当所述陶瓷本体沿宽度方向分为五个区，并且在所述五个区中，中间区定义为CW1，邻近所述中间区CW1的区定义为CW2和CW3时，所述中间区CW1的电极连通性与邻近所述中间区CW1的所述区CW2或CW3的电极连通性的差满足0.02≤(CW2或CW3)-CW1≤0.10。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述陶瓷本体满足1.2≤T/W≤3.0。

9.根据权利要求7所述的方法，其中，当所述第一内电极和第二内电极沿所述宽度方向分为三个区，并且在所述三个区中，中间区定义为EW1，邻近所述中间区EW1的区定义为EW2和EW3时，邻近所述中间区EW1的所述区EW2或EW3的厚度与所述中间区EW1的厚度的比率(EW2或EW3)/EW1满足1.10≤(EW2或EW3)/EW1≤2.00。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，在所述陶瓷本体的所述五个区中，所述中间区CW1具有85%或者大于85%的电极连通性，邻近所述中间区CW1的所述区CW2和CW3具有80%或者大于80%的电极连通性。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一内电极和第二内电极的平均厚度为0.2μm-0.85μm。