[发明专利]一种基于HVPE工艺的GaN衬底制作方法在审
| 申请号： | 201310282690.X | 申请日： | 2013-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN103367117A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 朱廷刚 | 申请（专利权）人： | 江苏能华微电子科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 项丽 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 hvpe 工艺 gan 衬底 制作方法 | ||
1.一种基于HVPE工艺的GaN衬底制作方法，所述的GaN衬底用于作为生长高功率器件或激光器件的衬底，其特征在于：它包括如下步骤：
（a）、GaN外延层制成步骤：在与GaN异质的基底上基于HVPE工艺生长出厚度为300um~350um的GaN外延层；
（b）、激光刻蚀步骤：对所述的基底与GaN外延层相接面进行横向和纵向的激光扫射，在两者相接面形成无数个激光斑；
（c）、激光剥离步骤：对所述的无数个激光斑进行激光剥离，以将所述的GaN外延层与基底分离；
（d）、抛光步骤：将所述的GaN外延层剥离面进行剥光处理，从而获得用于高功率器件或激光器件衬底用的GaN衬底。
2.根据权利要求1所述的基于HVPE工艺的GaN衬底制作方法，其特征在于：步骤（a）中，所述的基底为SiC、蓝宝石、Si中的一种。
3.根据权利要求1或2所述的基于HVPE工艺的GaN衬底制作方法，其特征在于：步骤（b）中，针对不同材质的基底与GaN外延层，所采用的激光为能穿透基底或外延层中的一者，同时又能被基底或外延层中的另一者所吸收以熔融。
4.根据权利要求3所述的基于HVPE工艺的GaN衬底制作方法，其特征在于：当所述的基底为蓝宝石时，所述的激光为波长小于240nm的激光。
5.根据权利要求1所述的基于HVPE工艺的GaN衬底制作方法，其特征在于：步骤（b）中，所述的激光沿GaN外延层上相邻两器件之间进行横向和纵向扫射。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
