[发明专利]一种基于交指电容的小型化人工磁导体及应用无效

专利信息
申请号: 201310283388.6 申请日: 2013-07-05
公开(公告)号: CN103401077A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 陈娟;张小娟;张安学;魏立;纽莉荣 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: H01Q15/00 分类号: H01Q15/00;H01Q1/38;H01Q5/01;H01Q7/00
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 徐文权
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 电容 小型化 人工 导体 应用
【权利要求书】:

1.一种基于交指电容的小型化人工磁导体,其特征在于,包括介质基板(3),在介质基板(3)的上、下表面均刻蚀有金属平板,所述介质基板(3)的上表面的金属平板是由形状相同的四根金属条排列而成的涡旋谐振环(1),且在四根金属条相交的缝隙处敷设有交指电容(4)。

2.根据权利要求1所述的一种基于交指电容的小型化人工磁导体,其特征在于,所述的交指电容(4)由若干金属条相互交错而成。

3.根据权利要求2所述的一种基于交指电容的小型化人工磁导体,其特征在于,所述的金属条的形状为矩形,个数为20个。

4.根据权利要求2所述的一种基于交指电容的小型化人工磁导体,其特征在于,所述交指电容(4)的交指电容量C满足式(1):

C=(ϵr+1)ϵ0K(k)2K(k)(N-1)lc;---(1)]]>

其中,C为交指电容量,lc为交指长度,N为交指数目,K(k)为第一类完全椭圆积分,k和k'分别满足式(2)和式(3);

k=(s/2+wc/2)2-(s/2)20.5*(wc+s);---(2)]]>

k=1-k2---(3)]]>

其中,wc为交指宽度,s为交指间距。

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