[发明专利]一种分离过共晶铝硅合金的装置及应用有效
申请号: | 201310283949.2 | 申请日: | 2013-07-08 |
公开(公告)号: | CN103343384A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 吕国强;薛海洋;马文会;余文轴 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学 |
主分类号: | C30B15/00 | 分类号: | C30B15/00;C30B30/04;C30B29/06;C30B29/52 |
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地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 分离 共晶铝硅 合金 装置 应用 | ||
1.一种分离过共晶铝硅合金的装置,其特征在于:包括熔料装置和提拉装置,熔
料装置的主体为石墨坩埚(3),石墨坩埚(3)的外部设置有活动的感应装置(2)、底部有带有支撑机构(1)的托盘(13);提拉装置的主体为倒置的石英管(5),倒置的石英管(5)的顶部有引锭机构(9)、内部有模子(8)、外部有冷却环(7);石英管(5)的外径小于石墨坩埚(3)的内径,倒置的石英管(5)套入石墨坩埚(3)。
2.根据权利要求1所述的分离过共晶铝硅合金的装置,其特征在于:所述石英管(5)的外壁有外硅灰石层(6)、石墨坩埚(3)的内壁有内硅灰石层(4)。
3.根据权利要求1所述的分离过共晶铝硅合金的装置,其特征在于:所述石墨坩埚(3)的底部有出料口,出料口填满密封料(12)。
4.根据权利要求1所述的分离过共晶铝硅合金的装置,其特征在于:所述模子(8)分布于石英管(5)内部的底端,冷却环(7)分布在石英管(5)的外部且与模子(8)的位置对应。
5.一种如权利要求1所述的分离过共晶铝硅合金的装置的应用,其特征在于具体步骤包括如下:
(1)将过共晶铝硅合金放入石墨坩埚(3),然后将石英管(5)倒置并套入石墨坩埚(3)中,调节感应装置(2)的电流和频率,保温后得到熔融的过共晶铝硅合金;或者是将过共晶铝硅合金熔体直接放入石墨坩埚(3)中,然后将石英管(5)倒置并套入石墨坩埚(3)中,调节感应装置(2)的电流和频率;
(2)保持感应装置(2)不动并维持步骤(1)中的电流和频率,通过冷却环(7)将石英管(5)的模子(8)的温度调整为550℃~650℃,然后按7~30μm/s的速度将引锭杆(9)向上提拉,为了使固液界面不致分离,同时将支撑杆(1)按照相同的速度向上运动,直到石墨坩埚(5)中的共晶铝硅合金与形成的初晶硅完全分离,停止引锭杆(9)和支撑杆(1)的运动,熔开出料口的密封料(12),从出料口流出的即为共晶铝硅合金熔体,石英管(5)的模子(8)中得到的即为初晶硅。
6.根据权利要求5所述的分离过共晶铝硅合金的装置的应用,其特征在于:所述过共晶铝硅合金的成分为硅30~60wt%、铝39~69wt%,其余为杂质。
7.根据权利要求5所述的分离过共晶铝硅合金的装置的应用,其特征在于:所述步骤(1)中感应装置(2)的电流均为12~64A、频率均为5~300kHz。
8.根据权利要求5所述的分离过共晶铝硅合金的装置的应用,其特征在于:所述步骤(1)的石墨坩埚(3)中加入过共晶铝硅合金时,待温度升为1000℃~1600℃后保温1min~20min即得到熔融的过共晶铝硅合金;直接放入石墨坩埚(3)中的过共晶铝硅合金熔体的温度为1000℃~1600℃。
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