[发明专利]一种CMOS开关电路

权利要求书

1.一种CMOS开关电路，其特征在于，包括电荷泵电路（101）、第一开关管（102）、第二开关管（103）、多路复用电路（104）、第三开关管（105）以及第四开关管（106），其中，所述电荷泵电路（101）、多路复用电路（104）和所述第四开关管（106）分别与信号输入端连接；所述第二开关管（103）与信号输出端连接，所述第二开关管（103）包括第一输出端；

在信号输入端的电压从预设的第一电压下降到预设的第二电压时，所述多路复用电路（104）控制所述第二开关管（103）的第一输出端与信号输出端连接，所述电荷泵电路（101）用于将信号输入端提供的电压稳定在预设电压，控制所述第一开关管（102）和所述第二开关管（103）导通以输出电压；

在信号输入端的电压从预设的第二电压上升到预设的第一电压时，所述多路复用电路（104）控制所述第二开关管（103）的第一输出端接地，所述第三开关管（105）、第四开关管（106）导通以控制所述第一开关管（102）、第二开关管（103）关断。

2.根据权利要求1所述的CMOS开关电路，其特征在于，所述第一开关管（102）包括第一PMOS管（MP1），所述第二、三、四开关管分别包括第一NMOS管（MN3）、第二NMOS管（MN2）、第三NMOS管（MN1），其中，所述第一输出端为所述第一NMOS管（MN3）的衬底。

3.根据权利要2所述的CMOS开关电路，其特征在于，所述电荷泵电路（101）一端分别与所述第三NMOS管（MN1）的栅极和所述多路复用电路（104）连接并接入信号输入端，另一端与所述第一PMOS管（MP1）的源极和衬底连接，所述第一PMOS管（MP1）的漏极与所述第一NMOS管（MN3）的栅极连接。

4.根据权利要求2所述的CMOS开关电路，其特征在于，所述多路复用电路（104）一端与所述第一NMOS管（MN3）的衬底连接，另一端分别与所述第一NMOS管（MN3）的源极连接和接地。

5.根据权利要求2所述的CMOS开关电路，其特征在于，所述第二NMOS管（MN2）的漏极分别与所述第一PMOS管（MP1）的漏极和所述第一NMOS管（MN3）的栅极连接，所述第二NMOS管（MN2）的源极和衬底均与所述第三NMOS管（MN1）的漏极连接。

6.根据权利要求2所述的CMOS开关电路，其特征在于，所述第一PMOS管（MP1）、第二NMOS管（MN2）的栅极以及所述第一NMOS管（MN3）的漏极均与电源连接；所述第一NMOS管（MN3）的源极与信号输出端连接；所述第三NMOS管（MN1）的源极和衬底均接地。

7.根据权利要求2所述的CMOS开关电路，其特征在于，所述第一NMOS管（MN3）包括深N阱（10）和N阱（20）组成的衬底隔离层。