[发明专利]低阈值电压二极管的替代电路

权利要求书

1.一种低阈值电压二极管的替代电路，其特征在于，所述电路包括：输入电压检测电路（100）、输出电压控制电路（200）和输出电压开关电路（300）；

所述输出电压开关电路（300）的两端分别为输入端（IN）和输出端（OUT）；

所述输入电压检测电路（100）用于检测所述输入端（IN）的输入电压并将所述输入电压降压为第一输入电压输出到所述输出电压控制电路（200）；所述输出电压控制电路（200）用于将所述第一输入电压反相输出为开关控制电压，并通过所述开关控制电压控制所述输出电压开关电路（300）的开启和关闭；

当所述输出电压开关电路（300）开启时，所述输入端（IN）和输出端（OUT）之间的电压压降接近零；当所述输出电压开关电路（300）关闭时，反向漏电流为零。

2.根据权利要求1所述的低阈值电压二极管的替代电路，其特征在于，所述输出电压开关电路（300）包括第一PMOS管（MP1）和第二PMOS管（MP2）；所述第一PMOS管（MP1）和第二PMOS管（MP2）共用一个N阱（50）；

所述第一PMOS管（MP1）的栅极连接到所述第二PMOS管（MP2）的栅极，所述第一PMOS管（MP1）的漏极连接到所述第二PMOS管（MP2）的源极，所述第一PMOS管（MP1）的衬底连接到所述第一PMOS管（MP1）的漏极，所述第二PMOS管（MP2）的衬底连接到所述第二PMOS管（MP2）的源极；

所述第一PMOS管（MP1）的源极作为所述输入端（IN），所述第二PMOS管（MP2）的漏极作为所述输出端（OUT）；所述第一PMOS管（MP1）与所述第二PMOS管（MP2）的共栅极接收所述开关控制电压。

3.根据权利要求2所述的低阈值电压二极管的替代电路，其特征在于，所述输出电压控制电路（200）包括第三PMOS管（MP3）和第一NMOS管（MN1）；

所述第三PMOS管（MP3）的栅极连接到所述第一NMOS管（MN1）的栅极，所述第三PMOS管（MP3）的漏极连接到所述第一NMOS管（MN1）的漏极，所述第三PMOS管（MP3）的源极连接到所述第二PMOS管（MP2）的漏极，所述第一NMOS管（MN1）的源极接地，所述第三PMOS管（MP3）的衬底连接到所述第三PMOS管（MP3）的源极，所述第一NMOS管（MN1）的衬底连接到所述第一NMOS管（MN1）的源极，

所述第三PMOS管（MP3）和第一NMOS管（MN1）的共栅极接收所述第一输入电压；所述第三PMOS管（MP3）和第一NMOS管（MN1）的共漏极输出所述开关控制电压。

4.根据权利要求3所述的低阈值电压二极管的替代电路，其特征在于，所述输入电压检测电路（100）包括第一分压电阻（R1）和第二分压电阻（R2）；

所述第一分压电阻（R1）的第一端连接至所述第一PMOS管（MP1）的源极，所述第一分压电阻（R1）的第二端连接至所述第二分压电阻（R2）的一端，所述第二分压电阻（R2）的另一端接地，

所述第一分压电阻（R1）的第一端用于接收所述输入电压，所述第一分压电阻（R1）的第二端输出所述第一输入电压。