[发明专利]半导体装置用胶粘剂组合物、半导体装置用胶粘薄膜、带有切割薄膜的胶粘薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置在审

专利信息
申请号: 201310284712.6 申请日: 2013-07-08
公开(公告)号: CN103525338A 公开(公告)日: 2014-01-22
发明(设计)人: 菅生悠树;大西谦司 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: C09J133/00 分类号: C09J133/00;C09J163/00;C09J161/06;C09J7/00;C09J7/02;H01L23/29
代理公司: 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 代理人: 王海川;穆德骏
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 半导体 装置 胶粘剂 组合 胶粘 薄膜 带有 切割 制造 方法 以及
【权利要求书】:

1.一种半导体装置用胶粘剂组合物,该半导体装置用胶粘剂组合物在175℃加热1小时后的动态粘弹性测定中的175℃的损耗角正切值(tanδ)为0.2~0.6。

2.如权利要求1所述的半导体装置用胶粘剂组合物,其中,损耗角正切值(tanδ)在施加频率1Hz的剪切应变的同时以10℃/分钟的升温速度测定。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置用胶粘剂组合物,其中,在175℃加热5小时后,动态粘弹性测定中的损耗角正切值(tanδ)达到最大的温度为-30~75℃。

4.如权利要求1所述的半导体装置用胶粘剂组合物,其中,相对于有机树脂成分100重量份,热活化型潜伏性固化催化剂的含量为0.05重量份以下。

5.如权利要求1所述的半导体装置用胶粘剂组合物,其中,有机树脂成分100重量%中的丙烯酸类树脂的含量为60~100重量%。

6.一种半导体装置用胶粘薄膜,该半导体装置用胶粘薄膜在175℃加热1小时后的动态粘弹性测定中的175℃的损耗角正切值(tanδ)为0.2~0.6。

7.如权利要求6所述的半导体装置用胶粘薄膜,其作为芯片粘贴薄膜使用。

8.一种带有切割薄膜的胶粘薄膜,其中,在切割薄膜上层叠有权利要求6或7所述的半导体装置用胶粘薄膜。

9.一种半导体装置的制造方法,包括使用权利要求7所述的半导体装置用胶粘薄膜将半导体芯片芯片粘贴到被粘物上的工序。

10.通过权利要求9所述的制造方法得到的半导体装置。

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