[发明专利]一种溶剂热法制备Sm2O3 纳米阵列的方法

权利要求书

1.一种溶剂热法制备Sm₂O₃纳米阵列的方法，其特征在于包括以下步骤：

步骤一：将分析纯的Sm(NO₃)₃·6H₂O加入到30mL的乙二醇中制得Sm³⁺浓度为0.01～0.20mol/L的透明溶液A；

步骤二：调节透明溶液A的pH调节至5.0～6.0，搅拌形成溶胶，再向溶胶中加入0.3～1.5mL质量浓度为5%的聚乙烯醇水溶液，搅拌均匀得到镀膜液；

步骤三：在清洗干净的单晶硅基板表面均匀涂覆一层镀膜液后，置于高温干燥箱中，先于50～70℃下烘干1～3h，再于300～500℃热处理1～3h；

步骤四：将分析纯Sm(NO₃)₃·6H₂O加入乙二醇中制成Sm³⁺浓度为0.01～0.20mol/L的透明溶液B，然后调节透明溶液B的pH为5.5～7.0得到生长液；

步骤五：将生长液倒入水热反应釜中，填充度控制在50％～60%，将经步骤三处理后的硅基板浸入其中，密封反应釜，放入电热真空干燥箱中，在150～220℃下反应12～48h，反应结束后自然冷却至室温；

步骤六：打开反应釜，取出基板，分别用去离子水和无水乙醇冲洗3～5次，置于50～80℃的真空干燥箱内干燥即在基板表面获得Sm₂O₃纳米阵列。

2.根据权利要求1所述的溶剂热法制备Sm₂O₃纳米阵列的方法，其特征在于：所述步骤一将分析纯的Sm(NO₃)₃·6H₂O加入到30mL的乙二醇中在磁力搅拌器上搅拌溶解。

3.根据权利要求1所述的溶剂热法制备Sm₂O₃纳米阵列的方法，其特征在于：所述步骤二采用采用质量百分比为5％的氨水溶液调节透明A溶液的pH调节至5.0～6.0。

4.根据权利要求1所述的溶剂热法制备Sm₂O₃纳米阵列的方法，其特征在于：所述步骤三采用提拉镀膜机在单晶硅基板表面均匀涂覆一层镀膜液。

5.根据权利要求1所述的溶剂热法制备Sm₂O₃纳米阵列的方法，其特征在于：所述步骤四将分析纯Sm(NO₃)₃·6H₂O加入乙二醇中在磁力搅拌器上搅拌溶解，并采用质量百分比为5％的氨水溶液调节溶液的pH为5.5～7.0，搅拌1～2h得到生长液。