[发明专利]一种(Zr100-tTit)xCuyRz块体非晶合金及制备方法及在无酶葡萄糖传感器电极上的应用有效

专利信息
申请号: 201310285014.8 申请日: 2013-07-08
公开(公告)号: CN103409657A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 李然;罗学昆;张涛 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: C22C14/00 分类号: C22C14/00;C22C16/00;C22C9/00;C22C30/02;C25F3/02;G01N27/30
代理公司: 北京永创新实专利事务所 11121 代理人: 李有浩
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 zr sub 100 ti cu 块体 合金 制备 方法 葡萄糖 传感器 电极 应用
【权利要求书】:

1.一种(Zr100-tTit)xCuyRz块体非晶合金,其特征在于:该(Zr100-tTit)xCuyRz块体非晶合金中t、x、y、z为摩尔百分数,t=0~100,x+y+z=100,40≤x≤80、5≤y≤50、1≤z≤45,R为Au、Ag、Pt、Pd、Ni、La、Ce、Y、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Si、B和Sn中的一种或一种以上的组合。

2.一种制备(Zr100-tTit)xCuyRz块体非晶合金的方法,其特征在于包括有下列步骤:

步骤一:配料

按照(Zr100-tTit)xCuyRz目标成分称取Zr、Ti、Cu、R各元素,混合均匀得到熔炼原料,且各元素的质量百分比纯度不低于99.0%;R为Au、Ag、Pt、Pd、Ni、La、Ce、Y、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu、Al、Si、B和Sn中的一种或一种以上的组合;

所述的(Zr100-tTit)xCuyRz中t、x、y、z为摩尔百分数,t=0~100,x+y+z=100,40≤x≤80、5≤y≤50、1≤z≤45,且x+y+z=100;

步骤二:熔炼制(Zr100-tTit)xCuyRz块体非晶合金锭

将熔炼原料放入真空电弧炉中进行熔炼,在质量百分比纯度为99.999%的氩气保护气氛下熔炼均匀后取出得到(Zr100-tTit)xCuyRz块体非晶合金锭;

熔炼参数:熔炼时真空电弧炉的真空度为≤3×10-2Pa;

熔炼温度为1000℃~3000℃;

熔炼时间为2~20min;

步骤三:块体非晶合金铸造成型

将步骤二制备得到的(Zr100-tTit)xCuyRz块体非晶合金锭放入快速凝固装置的感应炉中将其完全熔化,通过喷铸、凝固冷却得到(Zr100-tTit)xCuyRz块体非晶合金薄板;

或者,将步骤二制备得到的(Zr100-tTit)xCuyRz母合金锭在快速凝固设备的熔炼炉中以600℃~1000℃温度下熔化后,用铜轮旋淬制得(Zr100-tTit)xCuyRz非晶合金薄带;

感应熔炼参数设置:熔炼时真空感应炉的真空度为≤1×10-1Pa,感应电流250~450mA,熔炼温度为850~1250℃,熔炼时间为20s~180s;

喷铸压力为0.01~0.1MPa;

冷却速度为10~105K/s。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京航空航天大学,未经北京航空航天大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310285014.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top