[发明专利]双反熔丝

权利要求书

1.一种双反熔丝结构，包括：

第一沟道，在公共半导体鳍中，所述第一沟道与第一可编程栅极相邻；

第二沟道，在所述公共半导体鳍中，所述第二沟道与第二可编程栅极相邻；

第一反熔丝，在所述第一沟道和所述第一可编程栅极之间形成；

第二反熔丝，在所述第二沟道和所述第二可编程栅极之间形成。

2.根据权利要求1所述的双反熔丝结构，其中，所述第一可编程栅极在所述公共半导体鳍的第一侧壁上，并且其中，所述第二可编程栅极在所述公共半导体鳍的第二侧壁上。

3.根据权利要求1所述的双反熔丝结构，其中，所述第一可编程栅极包括第一栅极电介质和第一电极，并且其中，所述第二可编程栅极包括第二栅极电介质和第二电极。

4.根据权利要求1所述的双反熔丝结构，其中，所述第一反熔丝包括位于所述公共半导体鳍中的第一源极和第一漏极，并且其中，所述第二反熔丝包括位于所述公共半导体鳍中的第二源极和第二漏极。

5.根据权利要求1所述的双反熔丝结构，其中，所述第一沟道位于所述第一可编程栅极和所述第二可编程栅极之间，并且其中，所述第二沟道位于所述第一可编程栅极和所述第二可编程栅极之间。

6.根据权利要求1所述的双反熔丝结构，其中，所述第一沟道和所述第二沟道位于公共沟道区中。

7.一种双反熔丝结构，包括：

第一反熔丝，包括位于公共半导体鳍中的第一沟道、第一源极以及第一漏极；

第二反熔丝，包括位于所述公共半导体鳍中的第二沟道、第二源极以及第二漏极；

所述第一反熔丝在所述第一沟道和第一可编程栅极之间形成；

所述第二反熔丝在所述第二沟道和第二可编程栅极之间形成。

8.一种双反熔丝结构，包括：

第一反熔丝，包括位于公共半导体鳍中的第一沟道、第一源极以及第一漏极；

第二反熔丝，包括位于所述公共半导体鳍中的第二沟道、第二源极以及第二漏极；

第一可编程栅极，包括第一栅极电介质和第一电极，所述第一栅极电介质与所述第一沟道接触；

第二可编程栅极，包括第二栅极电介质和第二电极，所述第二栅极电介质与所述第二沟道接触；

所述第一反熔丝在所述第一沟道和所述第一可编程栅极之间形成；

所述第二反熔丝在所述第二沟道和所述第二可编程栅极之间形成。

9.根据权利要求8所述的双反熔丝结构，其中，所述第一电极和所述第二电极均包括金属。

10.根据权利要求8所述的双反熔丝结构，其中，所述第一栅极电介质和所述第二栅极电介质均包括高k电介质材料。