[发明专利]一种硅片的湿法刻蚀方法在审
| 申请号： | 201310285289.1 | 申请日： | 2013-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN104278275A | 公开（公告）日： | 2015-01-14 |
| 发明（设计）人： | 钟俊;田文燕;邓其明;李忠丽;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团永光电子有限公司 |
| 主分类号： | C23F1/24 | 分类号： | C23F1/24;C30B33/10 |
| 代理公司： | 云南派特律师事务所 53110 | 代理人： | 张怡 |
| 地址： | 贵州省贵阳*** | 国省代码： | 贵州;52 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 硅片 湿法 刻蚀 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种硅片的湿法刻蚀方法，硅片的外表面具有氧化层，硅片需通过湿法刻蚀去除氧化层的面为正面，与之相对面为背面，其特征在于：该方法包括以下步骤：
（a）将硅片的正面朝下放置与腐蚀溶液接触，并从硅片的上方向其背面喷射性质稳定的气体；
（b）经一定反应时间，取出硅片用水冲洗干净，备用。
2.根据权利要求1所述硅片的湿法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤（a）中的腐蚀溶液为氢氟酸。
3.根据权利要求1所述硅片的湿法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤（a）中的气体为氮气。
4.根据权利要求1所述硅片的湿法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤（a）中的气体为干燥的空气。
5.根据权利要求1-4任一项所述硅片的湿法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤（a）中的气体从硅片中心的上方垂直向下喷射至硅片的背面。
6.根据权利要求1-4任一项所述硅片的湿法刻蚀方法，其特征在于：所述步骤（b）的反应时间为3分钟。
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