[发明专利]用于从基片去除金属氧化物的装置和方法

权利要求书

1.一种产生用于从基片去除金属氧化物的等离子的方法，包括：

提供通电电极组件，所述通电电极组件包括

通电电极，

第一介电层，以及

第一金属丝网，其被布置在所述通电电极和所述第一介电层之间；

提供被布置在所述通电电极组件对面的接地电极组件以形成在其中产生等离子的腔，所述第一介电层当所述等离子存在于所述腔中时防护所述第一金属丝网不受所述等离子影响，所述腔在一端具有出口以用于提供所述等离子来去除所述金属氧化物；

向所述腔中引入至少一种惰性气体和至少一种处理气体；以及

利用所述通电电极对所述腔施加rf场，以由所述至少一种惰性气体和所述至少一种处理气体产生所述等离子。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述接地电极组件包括：

接地电极；以及

第二介电层，其当所述等离子存在于所述腔中时被布置在所述接地电极和所述等离子之间。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述接地电极组件进一步包括第二金属丝网，其被布置在所述接地电极和所述第二介电层之间，其中当所述等离子存在于所述腔中时所述第二介电层防护所述第二金属丝网不受所述等离子影响。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述腔为环形体积。

5.根据权利要求4所述的方法，其中，所述通电电极为配置于所述腔中的纵向探针。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述腔包括沿横轴的腔直径，其中所述腔直径至少与基片直径一样大。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一介电层和所述第二介电层是二氧化硅、氮化硅、聚酯类高分子物、陶瓷和聚四氟乙烯中的一种。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述第一金属丝网和所述第二金属丝网是铜、不锈钢、黄铜和镀锌金属中的一种。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第一金属丝网和所述第二金属丝网被配置成单丝、矩形编织和六边形编织中的一种。

10.一种产生用于从基片去除金属氧化物的等离子的方法，包括：

提供通电电极组件，所述通电电极组件包括

通电电极，

第一介电层，以及

第一金属丝网，其被布置在所述通电电极和所述第一介电层之间；

提供被布置在所述通电电极组件对面的接地电极组件以形成在其中产生等离子的腔，所述第一介电层当所述等离子存在于所述腔中时防护所述第一金属丝网不受所述等离子影响，所述腔在一端具有出口以用于提供所述等离子来去除所述金属氧化物；以及

利用所述通电电极对所述腔施加rf场，以由至少一种惰性气体和至少一种处理气体产生所述等离子。

11.根据权利要求10所述的方法，其中，所述接地电极组件包括：

接地电极；以及

第二介电层，其当所述等离子存在于所述腔中时被布置在所述接地电极和所述等离子之间。

12.根据权利要求11所述的方法，其中，所述接地电极组件进一步包括第二金属丝网，其被布置在所述接地电极和所述第二介电层之间，其中当所述等离子存在于所述腔中时所述第二介电层防护所述第二金属丝网不受所述等离子影响。

13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述腔为环形体积。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述通电电极为配置于所述腔中的纵向探针。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述腔包括沿横轴的腔直径，其中所述腔直径至少与基片直径一样大。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，所述第一介电层和所述第二介电层是二氧化硅、氮化硅、聚酯类高分子物、陶瓷和聚四氟乙烯中的一种。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，所述第一金属丝网和所述第二金属丝网是铜、不锈钢、黄铜和镀锌金属中的一种。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第一金属丝网和所述第二金属丝网被配置成单丝、矩形编织和六边形编织中的一种。

19.一种用于至少处理基片的处理系统，该处理系统包括：

电镀系统；以及

多个设备，用于当基片插入电镀系统时从所述基片上去除金属氧化物，所述多个设备设在所述电镀系统外面，所述多个设备形成至少一个第一线性总排出孔集，用于提供等离子帘，该等离子帘在把所述基片插入所述电镀系统时与所述基片的相同一侧的所述基片的切片相接触，所述基片设置成按照第一方向插入电镀系统，所述第一线性总排出孔集设置成与基片插入电镀系统时的所述第一方向相垂直，并且当把基片插入电镀系统时所述第一线性总排出孔集与所述基片的所述切片相平行，所述多个设备包括至少一个第一设备和第二设备，所述多个设备中的每个设备都包括至少：

通电电极，

第一介电层，以及

第一金属丝网，其被布置在所述通电电极和所述第一介电层之间；以及

接地电极，所述接地电极的一端有一用来提供去除至少一部分金属氧化物的等离子的孔，所述第一介电层被布置在所述第一金属丝网和所述接地电极之间。