[发明专利]晶片对准方法和装置

权利要求书

1.一种用于实现晶片对准的方法，包括以下步骤：

a在所述晶片上形成对准标记；

b将所述对准标记耦合到位于待对准位置的激励源，所述耦合引起电磁场发生变化；

c测量表示所述耦合的强度的一个或多个参数；

d将检测到所述一个或多个参数的最大值的晶片位置作为对准位置；以及

e将所述晶片移动到所述对准位置。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述对准标记是图形化的薄膜。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述图形化的薄膜是具有掺杂的Si、Ge、SOI或GOI的图形化区域。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述图形化的薄膜是金属或磁材料薄膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤b中通过电磁耦合将所述对准标记耦合到所述激励源。

6.根据权利要求1所述的方法，其中在步骤b中通过互感耦合将所述对准标记耦合到所述激励源。

7.根据权利要求5或6所述的方法，其中所述激励源是电感、磁力线圈或导电回路。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述一个或多个参数是所述激励源或所述对准标记内部的电场强度、磁场强度、电感或电流，或者是所述对准标记与所述激励源之间的互感抗或互作用力。

9.根据权利要求1所述的方法，其中步骤c进一步包括利用驱动器驱动所述晶片相对于所述激励源移动多个相对位置，分别测量每个位置处的所述一个或多个参数。

10.根据权利要求1所述的方法，其中步骤d进一步包括绘制多个参数值的拟合曲线，并将与最接近曲线峰值的参数值对应的晶片位置确定为对准位置。

11.一种用于实现晶片对准的装置，包括：

工作台，包括：

托架，用于承载待对准的晶片，所述晶片上形成有对准标记；以及

驱动器，用于驱动所述晶片移动；

激励源，其位于待对准位置并且与所述对准标记相耦合，所述耦合引起电磁场发生变化；

测量仪，用于测量表示所述耦合的强度的一个或多个参数；以及

处理器，用于将所述测量仪检测到的所述一个或多个参数的最大值的晶片位置确定为对准位置，并控制所述工作台的驱动器将所述晶片移动到该对准位置。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述对准标记是图形化的薄膜。

13.根据权利要求11所述的装置，其中所述图形化的薄膜是具有掺杂的Si、Ge、SOI或GOI的图形化区域。

14.根据权利要求11所述的装置，其中所述图形化的薄膜是金属或磁材料薄膜。

15.根据权利要求11所述的装置，其中所述激励源通过电磁耦合与所述对准标记相耦合。

16.根据权利要求11所述的装置，其中所述激励源通过互感耦合与所述对准标记相耦合。

17.根据权利要求11所述的装置，其中所述激励源是电感、磁力线圈或导电回路。

18.根据权利要求11所述的装置，其中所述测量仪是测量所述激励源或所述对准标记内部的电场强度、磁场强度、电感或电流，或者是所述对准标记与所述激励源之间的互感抗或互作用力的装置。

19.根据权利要求11所述的装置，所述驱动器驱动所述晶片相对于所述激励源移动多个相对位置，并且所述测量仪分别测量每个位置处的所述一个或多个参数。

20.根据权利要求11所述的装置，其中所述处理器绘制多个参数值的拟合曲线，并将与最接近曲线峰值的参数值对应的晶片位置确定为对准位置。