[发明专利]铬离子印迹硅胶的制备方法

权利要求书

1.铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于包括以下步骤：

①硅胶的活化：将硅胶用浓酸溶液浸泡后再用水洗涤至中性，烘干得活化硅胶后待用；

②制备铬离子印迹硅胶：将可溶性铬盐置于溶剂中后加热搅拌至固体溶解得铬盐溶液，向溶液中加入3-氨基丙基三甲氧基硅烷，于搅拌条件下加热回流，然后加入正硅酸乙酯，最后加入活化硅胶，经过以上步骤制得铬离子印迹硅胶初产物；

③铬离子印迹硅胶的后处理：将所得铬离子印迹硅胶初产物过滤并用溶剂洗涤至无杂质检出，然后用酸浸泡至无铬离子印迹硅胶检出，最后用水洗涤铬离子印迹硅胶至中性，烘干得最后产物铬离子印迹硅胶。

2.如权利要求1所述的铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤①中所述硅胶的粒径为50～200目。

3.如权利要求1所述的铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤①中所述浓酸为浓盐酸、硫酸或硝酸，所述酸溶液的摩尔浓度为8～10 mol/L。

4.如权利要求1所述的铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤①中所述硅胶与酸的用量为每克硅胶加5~20ml酸。

5.如权利要求1所述的铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤①中所述浸泡的时间为0.5~10h，所述用水为二次蒸馏水，所述烘干温度为40~120℃。

6.如权利要求1所述的铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤②中所述含铬盐为氯化铬、硫酸铬或醋酸铬，所述溶剂为甲醇或乙醇溶液。

7.如权利要求1所述的铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤②中所述铬盐与溶剂的用量为每克含铬盐加入20~50 ml溶剂，所述加入胺丙基硅烷的量与含铬盐的摩尔比为1:（1～5）。

8.如权利要求1所述的铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤②中所述的加热搅拌回流温度为60～80℃，加热搅拌回流时间为 0 .5～5.0h 。

9.如权利要求1所述的铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤②中所述加入的活化硅胶用量为3-氨基丙基三甲氧基硅烷的1～2倍；所述继续加热搅拌回流的时间为6～48h。

10.如权利要求1所述的铬离子印迹硅胶的制备方法，其特征在于在步骤②中，所述溶剂为甲醇或乙醇，所述酸的摩尔浓度为0.5～5.0mol/L，所述酸为盐酸、硝酸或醋酸，所述水为二次蒸馏水，所述烘干的温度为80℃，烘干的时间为1.0～12.0h。