[发明专利]检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法

权利要求书

1.一种检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于包括：

在硅衬底上实现N阱中布置PMOS器件的结构；

在晶圆上参照正常工艺制程生长金属硅化物，形成阻挡层，并沉积金属间的第一介电层和第二介电层；

在硬掩膜蚀刻工艺中，在第二介电层上依次形成硬掩膜、硅氧化物和抗反射层，在抗反射层上布置硬掩膜蚀刻光罩，其中采用通孔蚀刻的光罩作为硬掩膜蚀刻光罩；

利用硬掩膜蚀刻光罩对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜进行完全蚀刻，并且部分蚀刻第二介电层；

去除硬掩膜蚀刻光罩，并对抗反射层、硅氧化物、硬掩膜和第二介电层中填充与抗反射层相同的材料；

利用通孔蚀刻光罩执行蚀刻，直到部分地蚀刻第一介电层，其中通孔蚀刻光罩的关键尺寸小于硬掩膜蚀刻光罩的关键尺寸，随后去除通孔蚀刻光罩；

去除抗反射层以及所填充的与抗反射层相同的材料；

执行蚀刻，直到蚀刻透阻挡层；

进行填铜与铜的平坦化。

2.根据权利要求1所述的检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于，通过无光阻离子注入将晶圆表面注入N型阱区离子与P型源漏离子，在硅衬底上实现N阱中布置PMOS器件的结构。

3.根据权利要求1或2所述的检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于，通孔蚀刻光罩的关键尺寸不大于硬掩膜蚀刻光罩的关键尺寸的二分之一。

4.根据权利要求1或2所述的检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于，通孔蚀刻光罩的关键尺寸不大于硬掩膜蚀刻光罩的关键尺寸的三分之一。

5.根据权利要求1或2所述的检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法，其特征在于所述方法用于检测55nm后段铜连接层的通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷。

6.一种采用根据权利要求1至5之一所述的检测通孔蚀刻不足和通孔缺失缺陷的方法的半导体制造方法。