[发明专利]一种具有隔离层的复合衬底及其制造方法

权利要求书

1.一种具有隔离层的复合衬底的制造方法，包括：

1）在硅基底上形成具有露出该硅基底的开口的第一子隔离层；

2）利用横向生长法在第一子隔离层和所述硅基底上形成硅薄膜构成的种子层；

3）在种子层上形成掩膜，覆盖所述开口之间的部分种子层；

4）将种子层热氧化为二氧化硅层以作为第二子隔离层，其中所述掩膜的熔点高于热氧化种子层的温度；

5）去除掩膜，露出被所述掩膜覆盖的部分种子层，以作为种子区。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括步骤6）：以所述种子区的至少一部分作为种子，利用横向生长法在第二子隔离层上生长硅或硅锗半导体层。

3.根据权利要求1所述的方法，其中步骤2）中，所述种子层由多个开口处的硅基底上开始外延生长，并在两个开口中间的位置处接合，形成接合区，其中所述种子区不包括所述接合区。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一子隔离层由绝缘介质材料构成。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一子隔离层由金属材料构成。

6.根据权利要求1所述的方法，其中步骤1）中，第一子隔离层通过热氧化硅基底而形成。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一子隔离层的材料为SiO₂、TiO₂、Al₂O₃、Ti₃O₅、ZrO₂、Ta₂O₅、SiN、AlN、钼、铑、钯、钽、铂、钛、钨、铬中的一种或多种的组合。

8.根据权利要求1所述的方法，其中步骤3）还包括刻蚀掉一部分厚度的未被掩膜覆盖的种子层。

9.一种复合衬底，包括：

硅基底；

硅基底上的具有开口的第一子隔离层；

第二子隔离层，覆盖第一子隔离层的开口以及至少部分第一子隔离层，由硅薄膜氧化而成，且其中具有未被氧化的部分硅薄膜以用作种子区，种子区位于第一子隔离层的开口以外的区域上方。

10.根据权利要求9所述的复合衬底，还包括覆盖第一子隔离层和第二子隔离层的半导体层，该半导体层由种子区的至少一部分通过横向生长而形成。