[发明专利]测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，具体地说涉及一种测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构和方法。

背景技术

金属氧化物半导体晶体管包括栅极、位于栅极两侧衬底中的源极、漏极、栅极下方的导电沟道，以及在所述导电沟道和栅极之间的栅氧化层。在栅极侧壁形成有环绕栅极的侧墙。一方面，侧墙可以用于保护栅极；另一方面，栅极可以防止大剂量的源极和漏极注入过于接近导电沟道以至于可能发生源、漏间导通。

半导体制造技术正在向更高的技术节点发展，随着VLSI（Very Large Scale Integration，超大规模集成电路）技术中（特别是针对于鳍形结构或者三栅结构等3-D结构），器件尺寸的不断减小，导致栅极的尺寸越来越小，栅极下面的衬底中的导电沟道越来越短，因此能够减小源漏间漏电流的侧墙显得尤为重要。

目前需要一种简单、有效地测量MOS器件侧墙厚度相关参数的方法。

发明内容

在一个方面，本发明提供一种测量MOS器件侧墙厚度相关参数的方法，包括：

测量至少四个MOS器件阵列中每一个MOS器件阵列的电阻，其中

每个MOS器件阵列包括：至少两个等间距排列的MOS器件，所述MOS器件具有相同的沟道宽度和长度，并且都包括位于栅极两侧的相同宽度的侧墙；

第一和第二引出部分，分别将MOS器件阵列最外侧的两个MOS器件的源区或漏区引出；以及

第三引出部分，将所有MOS器件的栅极连接在一起引出，

不同MOS器件阵列彼此之间在器件数量、沟道长度和器件间距中至少之一上有所不同而沟道宽度相同；并且每个MOS器件阵列的第一和第二引出部分具有相同的构造；

根据测量结果计算侧墙下电阻的大小。

另一方面，本发明提供一种用于测量MOS器件侧墙厚度相关参数的结构，

包括：

至少四个MOS器件阵列，其中

每个MOS器件阵列包括：至少两个等间距排列的MOS器件，所述MOS器件具有相同的沟道宽度和长度，并且都包括位于栅极两侧的相同宽度的侧墙；

第一和第二引出部分，分别将MOS器件阵列最外侧的两个MOS器件的源区或漏区引出；以及

第三引出部分，将所有MOS器件的栅极连接在一起引出，其中

不同MOS器件阵列彼此之间在器件数量、沟道长度和器件间距中至少之一上有所不同而沟道宽度相同；并且每个MOS器件阵列的第一和第二引出部分具有相同的构造。

本发明实施例的方法可以简单、实用地检测与MOS器件侧墙厚度相关的参数。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：

图1为根据本发明实施例的测量MOS器件侧墙厚度相关参数的方法的流程示意图；

图2为根据本发明实施例的用于测量MOS器件侧墙厚度相关参数的测试结构的一个具体实施方式的俯视示意图；

图3为根据图3所示的测试结构沿AA’的剖面示意图；

附图中相同或相似的附图标记代表相同或相似的部件。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施例作详细描述。

下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。

下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。另外，以下描述的第一特征在第二特征之“上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。应当注意，在附图中所图示的部件不一定按比例绘制。本发明省略了对公知组件和处理技术及工艺的描述以避免不必要地限制本发明。