[发明专利]具有至少一个减小应力的适配元件的功率半导体模块

权利要求书

1.一种功率半导体模块，其具有用于布置在冷却装置（42）或基板（40）上的基底（2），其中，所述基底（2）具有绝缘材料体（20）、第一金属层（22）和第二金属层（24），其中，所述第一金属层（22）布置在所述绝缘材料体面对所述功率半导体模块的内部的第一主面上，并且所述第一金属层（22）是本身结构化的并进而构造出第一导体轨迹（220、222），所述第二金属层（24）布置在所述绝缘材料体背对所述功率半导体模块的内部的第二主面上，其中，功率半导体构件布置在导体轨迹（220、222）上且与之导电连接，并且其中，在此导体轨迹（220、222）或另一导体轨迹（220、222）上布置有第一适配元件（50），并且在所述适配元件（50）上布置有联接元件（60），其中，所述适配元件（50）面对所述第一联接元件（60）的第一主面（500）与所述第一联接元件（60）材料锁合且导电地连接，由此构造成第一连接方式，而所述第一适配元件（50）面对配属的导体轨迹（220、222）的第二主面（502）与所述配属的导体轨迹（220、222）借助连接介质（70）导电且材料锁合地连接，由此构造成第二连接方式。

2.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，布置有用于冷却装置（42）或基板（40）的第二适配元件（52），其中，所述第二适配元件（52）面对所述第二金属层（24）的第一主面（520）与所述第二金属层（24）借助连接介质（72）通过第一连接方法材料锁合地连接，而所述适配元件（52）面对所述冷却装置（42）或所述基板（40）的第二主面（522）与所述冷却装置（42）或所述基板（40）通过第二连接方法材料锁合地连接。

3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其中，所述第一连接方式构造为钎焊连接、压力烧结连接或熔焊连接、尤其是摩擦熔焊连接，或镀层连接、尤其是滚压镀层连接，而所述第二连接方式构造成利用连接介质的连接，尤其是钎焊连接或压力烧结连接。

4.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第一适配元件（50）具有如下热膨胀系数，其以加/减所述基底（2）与所述联接元件（60）的热膨胀系数之差的最多30%来偏离所述基底（2）与所述联接元件（60）的热膨胀系数的平均值。

5.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述第二适配元件（52）具有如下热膨胀系数，其以加/减所述基底（2）与所述冷却装置（42）或所述基板（40）的热膨胀系数之差的最多30%来偏离所述基底（2）与所述冷却装置（42）或所述基板（40）的热膨胀系数的平均值。

6.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块，其中，各自的适配元件（50、52）至少具有所述基底（2）的配属的金属层（22、24）厚度的三倍的厚度。

7.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第一适配元件（50）各自的侧向延伸尺寸（50a、50b）最大是所述联接元件（60）的配属的接触面的侧向延伸尺寸（60a、60b）的一倍半。

8.根据权利要求7所述的功率半导体模块，其中，所述第一适配元件紧邻着配属的导体轨迹的边缘区域或角区域布置。

9.根据权利要求1所述的功率半导体模块，其中，所述第一适配元件（50）本身构造为所述联接元件（60）与功率半导体构件（30）背对所述基底（2）的第一接触面（300）之间的内部连接装置。

10.根据权利要求2所述的功率半导体模块，其中，所述第二适配元件（52）具有比所述基底（2）的配属的第二金属层（24）的延伸尺寸更大的侧向延伸尺寸。