[发明专利]用于低噪声放大器的系统及方法

权利要求书

1.一种低噪声放大器（LNA），包括：

晶体管；以及

互感器，所述互感器包含耦合于低噪声放大器输入端子和所述晶体管的控制节点之间的第一绕组以及磁性耦合至所述第一绕组且耦接于所述晶体管的参考节点与低噪声放大器参考端子之间的第二绕组，其中所述低噪声放大器的输出端耦接至所述晶体管的输出节点。

2.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中：

所述晶体管包括双极结型晶体管（BJT）；

所述晶体管的控制节点包括所述双极结型晶体管的基极；

所述晶体管的参考节点包括所述双极结型晶体管的发射极；以及

所述晶体管的输出节点包括所述双极结型晶体管的集电极。

3.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中：

所述晶体管包括金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）；

所述晶体管的控制节点包括所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极；

所述晶体管的参考节点包括所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极；以及

所述晶体管的输出节点包括所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极。

4.根据权利要求1所述的低噪声放大器，所述低噪声放大器还包括电感器，所述电感器耦接于低噪声放大器电源端子和所述晶体管的所述输出节点之间。

5.根据权利要求1所述的低噪声放大器，其中，所述晶体管和所述互感器被置于集成电路上。

6.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其中，所述低噪声放大器参考端子和所述低噪声放大器输入端子耦接至集成电路的输出焊盘。

7.根据权利要求6所述的低噪声放大器，其中，所述输出焊盘还耦接至凸点接合连接件。

8.根据权利要求5所述的低噪声放大器，其中，所述第一绕组包括第一集成电感器，并且所述第二绕组包含第二集成电感器。

9.根据权利要求8所述的低噪声放大器，其中，所述第一集成电感器包含第一螺旋电感器，以及所述第二集成电感器包含第二螺旋电感器。

10.根据权利要求9所述的低噪声放大器，其中：

所述第一螺旋电感器和所述第二螺旋电感器被置于同一金属层上；以及

所述第一螺旋电感器和所述第二螺旋电感器之间的磁耦合包含水平耦合。

11.一种集成电路，包括：

半导体基板；

置于所述半导体基板之上的晶体管；以及

置于所述半导体基板之上的互感器，所述互感器包含耦接于输入焊盘和所述晶体管的控制节点之间的第一绕组以及磁性耦合至所述第一绕组且耦接于所述晶体管的参考节点和参考焊盘之间的第二绕组，其中，所述输出焊盘耦接至所述晶体管的输出节点。

12.根据权利要求11所述的集成电路，其中：

所述晶体管包括置于所述半导体基板之上的双极结型晶体管（BJT）；

所述晶体管的控制节点包括所述双极结型晶体管的基极；

所述晶体管的参考节点包括所述双极结型晶体管的发射极；以及

所述晶体管的输出节点包括所述双极结型晶体管的集电极。

13.根据权利要求11所述的集成电路，其中：

所述晶体管包括置于所述半导体基板之上的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）；

所述晶体管的控制节点包括所述金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极；

所述晶体管的参考节点包括所述金属氧化物半导体场效应晶体管的源极；以及

所述晶体管的输出节点包括所述金属氧化物半导体场效应晶体管的漏极。

14.根据权利要求11所述的集成电路，其中，所述晶体管和所述互感器形成低噪声放大器（LNA）。

15.根据权利要求11所述的集成电路，其中，所述输入焊盘和所述参考焊盘耦接至凸点接合连接件。

16.根据权利要求11所述的集成电路，其中，所述第一绕组包含第一螺旋电感器，以及所述第二绕组包含第二螺旋电感器，且所述第一螺旋电感器和所述第二螺旋电感器设置于所述半导体基板之上。