[发明专利]一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法

权利要求书

1.一种提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法，该外延结构从下向上的顺序依次为：衬底、低温GaN缓冲层、GaN非掺杂层、N型GaN层、多量子阱结构MQW、多量子阱有源层、低温P型GaN层、P型AlGaN层、高温P型GaN层和P型接触层，所述多量子阱有源层由3~20个Loop循环数的In_yGa_1-yN/GaN 多量子阱组成，其中0<y<1，其特征在于，在所述3~20个Loop循环数的In_yGa_1-yN/GaN多量子阱有源层中的垒层进行P型掺杂。

2.根据权利要求1所述的提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法，其特征在于，所述多量子阱有源层中的Loop循环数被拆分为两个部分A和B，其中1≤B≤3，在循环数B的垒层选择进行P型优化掺杂，P型掺杂中Mg的掺杂浓度为4.9×10^-5~8.24×10^-4摩尔每分钟。

3.根据权利要求1所述的提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法，其特征在于，所述多量子阱有源层中的Loop循环数被拆分为三个部分C、D和E，其中1≤E≤3，1≤D≤6，在循环数E或在循环数D或在循环数D+E 中的垒层选择进行P型优化掺杂，P型掺杂中Mg的掺杂浓度为4.9×10^-5~8.24×10^-4摩尔每分钟。

4.根据权利要求1所述的提高发光效率的氮化镓基LED外延生长方法，其特征在于，所述多量子阱有源层中的Loop循环数被拆分为四个部分F、G、H和I，其中1≤G≤6，1≤H≤6，1≤I≤3，在循环数G或在循环数H或在循环数I或在循环数G+H+I中的的垒层选择进行P型优化掺杂，P型掺杂中Mg的掺杂浓度为4.9×10^-5~8.24×10^-4摩尔每分钟。