[发明专利]减少金属硅化物掩模层缺陷的方法无效
| 申请号： | 201310287393.4 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103346080A | 公开（公告）日： | 2013-10-09 |
| 发明（设计）人： | 顾梅梅;陈建维;易义军;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/3105 | 分类号： | H01L21/3105;H01L21/268 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 陆花 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 减少 金属硅 化物掩模层 缺陷 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种减少金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于包括：
通过化学气相淀积（PECVD）氮化硅薄膜来在硅片上形成金属硅化物掩模层，与传统的热生长氮化硅薄膜相比，化学气相法淀积的氮化硅薄膜中含有H元素；
对金属硅化物掩模层执行紫外光治疗处理。
2.根据权利要求1所述的减少金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于还包括：对金属硅化物掩模层进行光刻和刻蚀以形成金属硅化物掩模层图案；然后溅射形成金属性物质层，并进行快速退火；最后执行金属硅化物剥离。
3.根据权利要求1或2所述的减少金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，在对金属硅化物掩模层执行紫外光治疗处理的步骤中，将形成有金属硅化物掩模层的硅片放置在紫外光腔体中，向硅片的形成有金属硅化物掩模层表面辐射紫外光。
4.根据权利要求1或2所述的减少金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，紫外光治疗处理的处理温度介于350-400℃之间，处理时间介于250-350s之间。
5.根据权利要求1或2所述的减少金属硅化物掩模层缺陷的方法，其特征在于，紫外光治疗处理的处理温度为385℃，处理时间为300s。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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