[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

权利要求书

1.一种LED芯片，其特征在于，包括：

衬底；

位于所述衬底表面下的第一半导体层；

位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第一电极和有源层，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘；

位于所述有源层背离所述衬底一侧，且仅覆盖所述有源层背离所述衬底一侧表面的第二半导体层；

位于所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面的第二电极；

其中，所述第一半导体层与所述第二半导体层的导电类型相反，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。

2.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极为闭合曲线电极或非闭合曲线电极。

3.根据权利要求2所述的LED芯片，其特征在于，所述第一电极为环形电极。

4.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述有源层内具有凹槽，在所述衬底至所述有源层方向上，所述凹槽完全贯穿所述有源层。

5.根据权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：

位于所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的第三电极，所述第三电极位于所述凹槽内，所述第三电极与所述有源层之间相互绝缘，所述第三电极与所述第一电极的极性相同。

6.根据权利要求5所述的LED芯片，其特征在于，所述凹槽为矩形凹槽，且位于所述有源层中央区域，所述第三电极为矩形电极。

7.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：

位于所述第二半导体层与所述第二电极之间的第一金属层。

8.根据权利要求7所述的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括：

覆盖所述第二电极背离所述衬底一侧表面的第二金属层；

覆盖所述第一电极背离所述衬底一侧表面的第三金属层；

覆盖所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层、所述第一金属层、所述第一电极和所述第二电极所有裸露面的绝缘层；

其中，所述第三金属层分别与所述第一金属层和所述第二金属层之间相互绝缘。

9.根据权利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述第一金属层为银层，所述绝缘层为二氧化硅层。

10.根据权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述第一半导体层为N型半导体层，所述第二半导体层为P型半导体层，所述第一电极为N型电极，所述第二电极为P型电极。

11.一种LED芯片的制作方法，其特征在于，包括步骤：

提供外延片，所述外延片依次包括衬底、第一半导体层、有源层和第二半导体层，所述第一半导体层和所述第二半导体层的导电类型相反；

对所述外延片进行刻蚀，直至在所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面形成第一裸露区，其中，第一裸露区包围所述第一半导体层背离所述衬底一侧表面的未裸露区；

在所述第一裸露区制作第一电极；

在所述第二半导体层背离所述衬底一侧表面制作第二电极，所述第一电极围绕所述有源层，且所述第一电极与所述有源层之间相互绝缘，所述第一电极与所述第二电极的极性相反。

12.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，还包括：

对所述外延片进行刻蚀，在所述未裸露区形成第二裸露区，所述第二裸露区与所述第一裸露区不连通。

13.根据权利要求12所述的制作方法，其特征在于，所述第二裸露区位于所述未裸露区的中央区域。

14.根据权利要求11所述的制作方法，其特征在于，在对所述外延片进行刻蚀前还包括：

在所述第二半导体背离所述衬底一侧表面制作第一金属层。

15.根据权利要求14所述的制作方法，其特征在于，在对外延片进行刻蚀后，在所述第一裸露区制作第一电极前还包括：

在所述第一金属层背离所述衬底一侧制作绝缘层，所述绝缘层完全覆盖所述第一半导体层、所述有源层、所述第二半导体层和所述第一金属层；

刻蚀所述绝缘层，去除待形成第一电极和第二电极处的绝缘层。

16.根据权利要求15所述的制作方法，其特征在于，在所述第一裸露区制作第一电极后包括：

在所述第二电极背离所述衬底一侧表面制作第二金属层，在所述第一电极背离所述衬底一侧表面制作第三金属层，且所述第三金属层分别与所述第一金属层和第二金属层之间相互绝缘。