[发明专利]一种提高多晶硅产出效率的方法有效
| 申请号： | 201310287571.3 | 申请日： | 2013-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN103361734A | 公开（公告）日： | 2013-10-23 |
| 发明（设计）人： | 任东 | 申请（专利权）人： | 上海和辉光电有限公司 |
| 主分类号： | C30B33/00 | 分类号： | C30B33/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张浴月;张龙哺 |
| 地址： | 201500 上海市金山区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 提高 多晶 产出 效率 方法 | ||
1.一种提高多晶硅产出效率的方法，包括：
S30.在第一旋转式准分子激光退火前清洗机中以第一预定时间长度对载有非晶硅的基板进行氧化、蚀刻和再氧化处理；
S40.在第二旋转式准分子激光退火前清洗机中以第二预定时间长度对所述载有非晶硅的基板进行清洗和干燥处理；以及
S20.在准分子激光退火机中以第三预定时间长度对所述非晶硅进行退火和结晶处理，
其中，所述步骤S30、所述步骤S40和所述步骤S20以所述步骤S30、所述步骤S40和所述步骤S20的顺序串联地连续执行，并且所述第一预定时间长度和所述第二预定时间长度都不大于所述第三预定时间长度。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，
所述第一预定时间长度为100秒，所述第二预定时间长度为120秒，以及所述第三预定时间长度为170秒。
3.根据权利要求1所述的方法，其中，
在所述第一预定时间长度中执行的氧化、蚀刻和再氧化处理为依次执行的第一氧化处理、蚀刻处理和第二氧化处理，以及在所述第二预定时间长度中执行的清洗和干燥处理为依次执行的清洗处理和干燥处理。
4.根据权利要求3所述的方法，其中，
所述第一氧化处理持续30秒，所述蚀刻处理持续40秒，所述第二氧化处理持续30秒，所述清洗处理持续60秒，以及所述干燥处理持续60秒。
5.根据权利要求3所述的方法，其中，
所述第一氧化处理和所述第二氧化处理中所使用的氧化剂是臭氧水溶液，所述蚀刻处理中所使用的蚀刻液是氢氟酸水溶液。
6.根据权利要求3所述的方法，其中，
所述清洗处理中所使用的清洗液是纯净水、加氢水、高压水或施加有超声波的水中的任何一种。
7.根据权利要求3所述的方法，其中，
在所述干燥处理中使用干燥气体来吹干所述非晶硅，所述干燥气体为干燥的压缩空气或氮气。
8.根据权利要求5所述的方法，其中，所述第一氧化处理和所述第二氧化处理的持续时间分别为20秒-40秒，所述臭氧水溶液的质量浓度为15ppm-30ppm，所述蚀刻处理的持续时间为20秒-40秒，所述氢氟酸水溶液的质量浓度为0.5%-2%。
9.根据权利要求6所述的方法，其中，所述清洗处理的持续时间为40秒-80秒。
10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述干燥处理的持续时间为20秒-80秒。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司，未经上海和辉光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310287571.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：高温余热热管回收系统
- 下一篇：一种甘蓝枯萎病菌的检测试剂盒及其检测方法
