[发明专利]一种透光型硅薄膜太阳能电池的制造方法

权利要求书

1.一种透光型硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：

（1）激光划刻前电极；

（2）非晶硅-微晶硅基薄膜电池沉积；

（3）激光划刻硅基薄膜层；

（4）利用掩膜溅射镀银电极；

（5）湿法蚀刻去除没有银层覆盖的硅基薄膜形成透光栅线；

（6）激光划刻，形成透光型硅薄膜太阳能电池。

2.根据权利要求1所述的透光型硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述掩膜覆盖在硅基薄膜顶层。

3.根据权利要求2所述的透光型硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：所述掩膜是根据透光组件不同透光率需求制作而成。

4.根据权利要求3所述的透光型硅薄膜太阳能电池的制造方法，其特征在于：银沉积在硅基薄膜没有被掩膜遮挡的部分。