[发明专利]全光超宽带脉冲信号产生装置和方法有效

专利信息
申请号: 201310288570.0 申请日: 2013-07-10
公开(公告)号: CN103401615A 公开(公告)日: 2013-11-20
发明(设计)人: 李林森;朱凯午;周啸峰 申请(专利权)人: 武汉市兴跃腾科技有限公司
主分类号: H04B10/508 分类号: H04B10/508
代理公司: 武汉开元知识产权代理有限公司 42104 代理人: 徐绍新;潘杰
地址: 430205 湖北省武汉市东湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 全光超 宽带 脉冲 信号 产生 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种全光超宽带脉冲信号产生装置,包括一个在三阶非线性波导材料上刻蚀的马赫-曾德尔干涉仪(1),所述马赫-曾德尔干涉仪(1)包括第一通光臂(1a)和第二通光臂(1b),所述第一通光臂(1a)和第二通光臂(1b)的一端分别与用于分配探测光的第一光耦合器(2)连接,所述第一通光臂(1a)和第二通光臂(1b)的另一端分别与用于耦合探测光的第二光耦合器(3)连接,马赫-曾德尔干涉仪(1)的一端设有泵浦光输入端口(4)和探测光输入端口(5),另一端设有光输出端口(6),所述泵浦光输入端口(4)设置在第一通光臂(1a)的延长线上,所述探测光输入端口(5)与第一光耦合器(2)连接,所述光输出端口(6)与第二光耦合器(3)连接,其特征在于:所述第一通光臂(1a)的一侧设有一个用于调节泵浦光和探测光并使泵浦光和探测光产生谐振的微环(7),所述微环(7)与第一通光臂(1a)耦合并设在同一平面上,所述第二通光臂(1b)上设有一个用于调制超宽带信号的平行蒸镀电极(8)。

2.根据权利要求1所述的全光超宽带脉冲信号产生装置,其特征在于:所述的三阶非线性波导材料为非线性聚合物材料、硅基材料、硫系玻璃、半导体材料中的一种。

3.根据权利要求2所述的全光超宽带脉冲信号产生装置,其特征在于:所述半导体材料为InP或GaAs或AlGaAs。

4.一种全光超宽带脉冲信号产生方法,其特征在于包括以下步骤:

生成泵浦光并经过泵浦光输入端口(4)进入马赫-曾德尔干涉仪(1)的第一通光臂(1a);

生成探测光并经过探测光输入端口(5)和第一光耦合器(2)进入马赫-曾德尔干涉仪(1)的第一通光臂(1a)和第二通光臂(1b);

通过调节设在第一通光臂(1a)一侧的微环(7),使泵浦光和探测光产生谐振;

通过调节第一通光臂(1a)和第二通光臂(1b)的长度以及第一光耦合器(2)的耦合比,使第一通光臂(1a)和第二通光臂(1b)到达第二光耦合器(3)时光强度相等;

通过调节第一通光臂(1a)和第二通光臂(1b)的长度差,或者在设在第二通光臂(1b)上的平行蒸镀电极(8)上预加偏压,从而控制第一通光臂(1a)和第二通光臂(1b)的初始相位差,使探测光经过马赫-曾德尔干涉仪(1)时,产生符合联邦通讯委员会规定的二阶超宽带脉冲信号;

泵浦光和探测光通过第二光耦合器(3)耦合后经光输出端口(6)输出。

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