[发明专利]一种MTJ纳米柱阵列的制备方法

权利要求书

1.一种MTJ纳米柱阵列的制备方法，其特征在于，包括下述步骤： 

S1：在基底上表面制备电子束光刻对准所需要的定标符； 

S2：根据所述定标符在基底上表面制备底电极层，所述底电极层包括多条平行的底电极线； 

S3：在附着有底电极层的基底上表面涂覆一层HSQ，通过电子束曝光对HSQ层进行图形化，在每一条底电极线上形成多个绝缘单元；每一个绝缘单元的中间具有一个孔； 

S4：依次通过光刻、溅射和剥离工艺在所述绝缘单元的孔内形成磁性多层膜层；所述磁性多层膜层从下往上依次为自由层、隧穿势垒层、被钉扎层、钉扎层； 

S5：在所述磁性多层膜层上制备顶电极层并形成MTJ纳米柱阵列。 

2.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S1中依次通过电子束曝光、蒸发和剥离的方法制备所述定标符。 

3.如权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述定标符为多个十字形重金属标记。 

4.如权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述定标符有4个，分别位于基底上表面的四个角落。 

5.如权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在步骤S5中，所述顶电极层包括多条平行的顶电极线；所述顶电极线与所述底电极线交叉垂直。 

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述顶电极线和底电极线的宽度为0.5um～100um，电极线的间距为1um～100um。 

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘单元位于所述顶电极线与所述底电极线的交叉点处。 

8.如权利要求1-7任一项所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘单元的线宽大于所述底电极线的宽度，所述绝缘单元的厚度大于所述磁性多层膜的厚度。 

9.如权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述绝缘单元的宽度为0.6um～1000um，厚度为10nm～500nm。 

10.如权利要求1-9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述孔的孔径为50nm～10um。