[发明专利]一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法无效

专利信息
申请号: 201310288716.1 申请日: 2013-07-10
公开(公告)号: CN103334104A 公开(公告)日: 2013-10-02
发明(设计)人: 林学春;高文焱;赵树森;王奕博;刘发兰;周春阳 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: C23C24/10 分类号: C23C24/10;B23K26/34
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 获得 稀释 涂层 激光 方法
【权利要求书】:

1.一种获得低稀释率涂层的激光熔覆方法,其特征在于,该方法是采用高斯分布或近似高斯分布的激光束进行激光熔覆,采用负离焦方式,激光束焦平面位于工件表面下方,具体包括:

步骤1:在激光熔覆前,确定激光束焦平面位置;

步骤2:将激光束焦平面与工件待加工表面重合后,沿工件待加工表面法线方向移动激光熔覆头,使其靠近工件,确定激光熔覆头的移动距离;

步骤3:确定好激光熔覆头位置后,将激光熔覆的侧向送粉喷嘴固定,使激光熔覆的侧向送粉喷嘴对准工件待加工表面激光辐照位置;

步骤4:确定激光熔覆的工艺参数,至少包括激光输出功率、激光扫描速度、熔覆粉末的送粉率;

步骤5:设置好工艺参数后,激光熔覆头输出激光束,同时激光熔覆头按照设定的扫描速度开始移动,熔覆粉末从侧向送粉喷嘴中喷出,落入激光束辐照区域,熔化并在工件表面形成熔池,随着激光束的移走,熔池快速凝固,形成熔覆涂层。

2.根据权利要求1所述的激光熔覆方法,其特征在于,步骤1中所述确定激光束焦平面位置,采用同轴CCD成像法、聚焦镜焦距测量法或等间隔激光脉冲烧蚀方法。

3.根据权利要求1所述的激光熔覆方法,其特征在于,步骤2中所述激光熔覆头的移动距离为负离焦量,该负离焦量的范围为4~50mm。

4.根据权利要求1所述的激光熔覆方法,其特征在于,步骤4中所述激光输出功率在300W~5000W,激光扫描速度在2mm/s~20mm/s,送粉率在2g/min~25g/min。

5.根据权利要求1所述的激光熔覆方法,其特征在于,该方法采用同步送粉方式。

6.根据权利要求5所述的激光熔覆方法,其特征在于,所述同步送粉方式为侧向同步送粉方式或同轴同步送粉方式,其中侧向同步送粉角度范围10°~80°。

7.根据权利要求5所述的激光熔覆方法,其特征在于,所述同步送粉方式能够被替换为预置粉末方式。

8.根据权利要求1所述的激光熔覆方法,其特征在于,步骤5中所述工件表面是平面或曲面。

9.根据权利要求1所述的激光熔覆方法,其特征在于,所述高斯分布或近似高斯分布的激光束是由具有高斯分布或近似高斯分布的激光束的固体激光器或CO2激光器产生的。

10.根据权利要求9所述的激光熔覆方法,其特征在于,所述固体激光器或CO2激光器是连续激光器或脉冲激光器。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310288716.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top