[发明专利]高精度无电阻带隙基准电压源无效
申请号: | 201310288997.0 | 申请日: | 2013-07-10 |
公开(公告)号: | CN103399611A | 公开(公告)日: | 2013-11-20 |
发明(设计)人: | 周泽坤;许天辉;苟超;朱世鸿;张其营;张庆岭;张波 | 申请(专利权)人: | 电子科技大学 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 | 代理人: | 李顺德 |
地址: | 611731 四川省*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高精度 电阻 基准 电压 | ||
1.高精度无电阻带隙基准电压源,包括负温电流产生电路,正温电流产生电路,一阶正温电压叠加电路,低温电流补偿电路,高温电流补偿电路;
所述负温电流产生电路由5个PMOS管:第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管,7个NMOS管:第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管,第五NMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管,以及第一电容组成;具体连接关系:五个PMOS管的源极接电源电压,第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第五PMOS管栅极连接在一起,第一PMOS管的栅极和漏极短接,第四PMOS管的栅极与第五PMOS管的漏极连接,第二PMOS管和第四PMOS管的漏极连接;第一NMOS管的漏极接到第一PMOS管漏极,栅极与第三NMOS管以及第二PMOS管和第四PMOS管的漏极连接在一起,源极连接到第二NMOS管的栅极和漏极,第三NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管的栅极和第五NMOS管的漏极一起连接到第三PMOS管的漏极,第四NMOS的栅极和漏极连接第三NMOS的源极,第二NMOS管、第四NMOS管、第六NMOS管的源极与第七NMOS管的漏极和源极连接地电位;第一电容的正端接第五PMOS管的漏极,负端接地电位;
所述正温电流产生电路,由5个PMOS管:第六PMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管,5个NMOS管:第八NMOS管、第九NMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管,三个PNP管:第一PNP管、第二PNP管、第三PNP管,以及第二电容组成;具体连接关系:五个PMOS管的源极接电源电压,第六PMOS管、第七PMOS管、第第八PMOS管、第十PMOS管栅极连接在一起,第六PMOS管的栅极和漏极短接,第九PMOS管的栅极与第十PMOS管的漏极连接,第七PMOS管和第九PMOS管的漏极连接;第八NMOS管的漏极连接第六PMOS管的漏极,栅极与第十二NMOS管的栅极连接到第九PMOS管的漏极,第十NMOS管的栅极和漏极、第九NMOS管、第十一NMOS管的栅极连接第八PMOS管的漏极,第十NMOS管的源极和第十一NMOS管的漏极相连,第十二管的源极和漏极接地电位;第一PNP管的发射极接第八NMOS管的源极,第二PNP管的发射极接第九NMOS管的源极,第三PNP管的发射极接第十一NMOS管的源极,第一PNP管、第二PNP管、第三PNP管的基极和集电极接地电位;第二电容正端接第十PMOS管的漏极,负端接地电位;
一阶正温电压叠加电路由7个PMOS管:第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管、第十六PMOS管、第十七PMOS管,4个NMOS管:第十三NMOS管、第十四NMOS管、第十五NMOS管、第十六NMOS管组成;具体连接关系:第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十三PMOS管、第十四PMOS管、第十五PMOS管的源极接电源电压,第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十五PMOS管的栅极接正温电流产生电路中第六PMOS管的栅极,第十三PMOS管的栅极和漏极连接第十四PMOS管栅极,第十六PMOS管的源极接第十二PMOS管的漏极,栅极接正温电流产生电路中第一PNP管的发射极,漏极接地电位,第十七PMOS管的源极接第十五PMOS管的漏极,栅极接第十四PMOS管的漏极,源极接地电位;第十三NMOS管的漏极接第十三PMOS管的漏极,栅极接十二PMOS管的漏极,第十四NMOS管的漏极接第十四PMOS管的漏极,栅极接第十五PMOS管的漏极,第十三NMOS管和第十四NMOS管的源极接第十六NMOS管的漏极,第十五NMOS的漏极和栅极、第十六NMOS管的栅极接第十一PMOS管的漏极,两个管子的源极接地电位;
低温电流补偿电路由5个PMOS管:第十八PMOS管、第十九PMOS管、第二十PMOS管、第二十一PMOS管、第二十二PMOS管,2个NMOS管:第十七NMOS管,第十八NMOS管组成;具体连接关系:五个PMOS管的源极连接电源电压,第十八PMOS管的栅极接正温电流产生电路第六PMOS管的栅极,第十九PMOS管的栅极和漏极连第二十PMOS管的栅极,第二十PMOS管的漏极、第二十二PMOS管的栅极、第二十一PMOS管的栅极和漏极相连,第二十二PMOS管的漏极接正温电流产生电路中第一PNP管的发射极;第十七NMOS的栅极和漏极、第十八NMOS的栅极接第十八PMOS管的漏极,第十八NMOS的漏极接第十九PMOS管的漏极,两个NMOS的源极接地电位;
高温电流补偿电路由5个PMOS管:第二十三PMOS管、第二十四PMOS管、第二十五PMOS管、第二十六PMOS管、第二十七PMOS管,4个NMOS管:第十九NMOS管、第二十NMOS管、第二十一NMOS管、第二十二NMOS管组成;具体连接关系:五个PMOS的源极接电源电压,第二十三PMOS管的栅极接负温电流产生电路第一PMOS管的栅极,第二十四PMOS管的栅极和漏极接第二十五PMOS管的栅极,第二十五PMOS管的漏极、第二十六PMOS管的栅极和漏极、第二十七PMOS管的栅极相接,第二十七PMOS管的漏极接正温电流产生电路第一PNP管的发射极;第十九NMOS管的栅极和漏极、第二十NMOS管和第二十一NMOS管的栅极接第二十三PMOS管的漏极,第二十NMOS管的漏极接低温电流补偿电路第二十PMOS管的漏极,第二十一NMOS管的漏极接第二十四PMOS管的漏极,第二十二NMOS管的漏极接第二十五PMOS管的漏极,栅极接低温电流补偿电路中第十七NMOS管的栅极,电路中4个NMOS管的源极接地电位。
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