[发明专利]一种钼硝酸钾化合物、其非线性光学晶体及其制备方法和用途有效

专利信息
申请号: 201310289080.2 申请日: 2013-07-10
公开(公告)号: CN103352252A 公开(公告)日: 2013-10-16
发明(设计)人: 罗思扬;林哲帅;姚吉勇;陈创天 申请(专利权)人: 中国科学院理化技术研究所
主分类号: C30B29/22 分类号: C30B29/22;C30B9/12;G02F1/355
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 巩克栋;侯桂丽
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 一种 硝酸钾 化合物 非线性 光学 晶体 及其 制备 方法 用途
【权利要求书】:

1.一种钼硝酸钾化合物,其特征在于,所述钼硝酸钾化合物的化学式为K13Mo10(NO3)O36

2.一种权利要求1所述的钼硝酸钾化合物的制备方法,包括如下步骤:按摩尔比为KNO3:MoO3:K2CO3=0.1:1.0:0.6的比例将3种物质混合均匀并研磨,然后压实,在300-400℃下烧结30-60h。

3.一种权利要求1所述的钼硝酸钾化合物的非线性光学晶体,其特征在于,所述光学晶体的结构不具有对称中心,属于三方晶系,空间群为P3,晶胞参数Z=1,单胞体积为

4.一种权利要求3所述非线性光学晶体的制备方法,包括如下步骤:

(1)按照摩尔比为K13Mo10(NO3)O36:KNO3:KF=1:2~10:0.5~3的比例,将钼硝酸钾化合物、硝酸钾和氟化钾混合均匀;或者按照摩尔比为MoO3:KNO3:KF=1:3~12:0.5~5的比例,将三氧化钼、硝酸钾和氟化钾混合均匀;

(2)将上述混合均匀的物料在400-600℃下熔融;

(3)将步骤(2)所得熔体恒温400-600℃持续10-30h,降温;

(4)待步骤(3)得到的物料冷却至室温后,洗涤即得所述晶体。

5.根据权利要求4所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述物料装在铂坩埚中;

优选地,所述熔融在单晶生长炉中进行;

优选地,所述熔融的温度为500℃;

优选地,所述熔融在铂金搅拌棒的搅拌下进行;

优选地,步骤(3)中所述恒温的温度为500℃;

优选地,所述恒温持续的时间为20h;

优选地,所述恒温在单晶生长炉中进行;

优选地,所述降温采用如下方式:在饱和温度之上1-5℃开始降温,降温速率为0.5-3℃/天,降10-30℃;优选在饱和温度之上2℃开始降温,降20℃;

优选地,步骤(4)中所述洗涤采用去离子水进行。

6.一种权利要求3所述非线性光学晶体的制备方法,包括如下步骤:

(1)按照摩尔比为K13Mo10(NO3)O36:KNO3:KF=1:2~10:0.5~3的比例,将钼硝酸钾化合物、硝酸钾和氟化钾混合均匀;或者按照摩尔比为MoO3:KNO3:KF=1:3~12:0.5~5的比例,将三氧化钼、硝酸钾和氟化钾混合均匀;

(2)将上述混合均匀的物料在400-600℃下熔融;

(3)将熔体在晶体生长炉中恒温400-600℃持续10-30h,降温;

(4)降温结束后,将所得晶体提离液面,并以10-30℃/小时的速率降至室温即得所述晶体。

7.根据权利要求6所述的制备方法,其特征在于,步骤(2)中所述物料装在铂坩埚中;

优选地,所述熔融在单晶生长炉中进行;

优选地,所述熔融的温度为500℃;

优选地,所述熔融在铂金搅拌棒的搅拌下进行;

优选地,步骤(3)中所述恒温的温度为500℃;

优选地,所述恒温持续的时间为20h;

优选地,所述恒温在单晶生长炉中进行;

优选地,所述降温采用如下方式:降温至饱和温度之上1-5℃,优选2℃,把装在籽晶杆上的籽晶放入熔体中,同时以10-20转/分的速率旋转籽晶杆,降温至饱和温度,再以0.5-3℃/天的速率缓慢降温,降10-30℃,优选20℃。

8.一种权利要求3所述非线性光学晶体的用途,其特征在于,用于制备激光输出频率转换的激光器。

9.一种权利要求3所述非线性光学晶体的用途,其特征在于,用于制备对波长1064nm的激光光束产生2倍频、3倍频或4倍频的谐波光输出的谐波发生器。

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