[发明专利]可调正负温度系数的恒流源及其调节方法有效
申请号: | 201310289994.9 | 申请日: | 2013-07-10 |
公开(公告)号: | CN103345291A | 公开(公告)日: | 2013-10-09 |
发明(设计)人: | 曾正球 | 申请(专利权)人: | 广州金升阳科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 广州知友专利商标代理有限公司 44104 | 代理人: | 宣国华 |
地址: | 510663 广东省广州市萝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 可调 正负 温度 系数 恒流源 及其 调节 方法 | ||
1.一种可调正负温度系数的恒流源,其特征在于:所述的可调正负温度系数恒流源包括第一恒流源(A1)、第二恒流源(A2)和加权减法运算电路(A3);所述第一恒流源(A1)和第二恒流源(A2)的温度系数正负相反,所述第一恒流源(A1)和第二恒流源(A2)的输出端分别连接到加权减法运算电路(A3)的被减数输入端和减数输入端,所述加权减法运算电路(A3)通过调节第一恒流源(A1)和第二恒流源(A2)的加权系数,输出正负温度系数可调的恒定电流。
2.根据权利要求1所述的可调正负温度系数的恒流源,其特征在于:所述第一恒流源(A1)和第二恒流源(A2)均为电流镜电路,该电流镜电路由左、右PMOS管,左、右NMOS管和第一电阻组成,其中,所述左、右PMOS管的源极相连并接电源端,栅极相连并连接到右PMOS管的漏极,所述左、右NMOS管的栅极相连接并连接到左NMOS管的漏极,左NMOS管的源极接接地端,右NMOS管的源极通过第一电阻连接到接地端,所述左PMOS管和左NMOS管的漏极相连接,所述右PMOS管和右NMOS管的漏极相连接并且该连接点作为电流镜电路的输出端;
所述加权减法运算电路(A3)由第一、第二PMOS管和第一、第二、第三、第四NMOS管组成,其中,所述第一、第二PMOS管的源极相连并接电源端,所述第一、第二NMOS管的源极相连并接接地端,栅极相连并连接到第一NMOS管的漏极,所述第三、第四NMOS管的源极相连并接接地端,栅极相连并连接到第三NMOS管的漏极,所述第一PMOS管与第一NMOS管的漏极相连接,所述第二PMOS管与第二、第三NMOS管的漏极相连接,所述第四NMOS管的漏极作为加权减法运算电路(A3)的输出端;
所述第一恒流源(A1)的输出端连接到第二PMOS管的栅极,所述第二恒流源(A2)的输出端连接到第一PMOS管的栅极;所述第一恒流源(A1)与第二恒流源(A2)的第一电阻的温度系数正负相反;所述第一恒流源(A1)的加权系数为流过所述第二PMOS管与流过第一恒流源(A1)的第一电阻的电流之比,所述第二恒流源(A2)的加权系数则为流过所述第二NMOS管与流过第二恒流源(A2)的第一电阻的电流之比。
3.根据权利要求2所述的可调正负温度系数的恒流源,其特征在于:所述第一恒流源(A1)的第一电阻为N阱扩散电阻,且所述第二恒流源(A2)的第一电阻为多晶硅电阻,或者,所述第一恒流源(A1)的第一电阻为多晶硅电阻,且所述第二恒流源(A2)的第一电阻为N阱扩散电阻。
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