[发明专利]磁性随机存取存储器

权利要求书

1.一种磁性随机存取存储器MRAM，包括：

磁性存储单元，每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化；及

接口电路，其被配置为根据时钟信号的上升沿和下降沿输入/输出从磁性存储单元读取或写到磁性存储单元的数据作为被称为DQ信号的数据输入/输出信号，

其中，所述接口电路被配置为响应于伴随DQ信号生成的数据选通信号而锁存DQ信号，其中，时钟信号的沿发生在锁存的DQ信号的窗口中心。

2.如权利要求1所述的MRAM，其中，接口电路被设置为通过使用频率是对命令和地址信号采样的时钟信号频率的两倍的差分数据时钟信号来对DQ信号采样。

3.如权利要求1所述的MRAM，其中，接口电路被配置为输入/输出与时钟信号的上升和下降沿同步的命令分组、写数据分组、或读数据分组作为DQ信号。

4.如权利要求1所述的MRAM，其中，接口电路支持单端信号传输，其中单端信号传输比较通过一个通道接收的DQ信号的电压电平与参考电压的电压电平。

5.如权利要求4所述的MRAM，其中，通道支持被上拉端接的伪漏极开路POD接口。

6.如权利要求1所述的MRAM，其中，接口电路支持差分端信号传输，其中差分端信号传输输入通过两个通道接收的DQ信号和反转的DQ信号。

7.如权利要求6所述的MRAM，其中，两个通道的每个都支持被上拉端接的POD接口。

8.如权利要求7所述的MRAM，其中两个通道通过电阻器彼此连接，并且两个通道支持低电压差分信号传输LVDS，其中DQ信号和反转的DQ信号具有小摆动。

9.如权利要求1所述的MRAM，其中接口电路通过一个通道接收DQ信号，并且所述通道支持将与DQ信号的多位对应的电压转换为多电平电压信号的多电平信号传输接口。

10.如权利要求1所述的MRAM，其中，接口电路被配置为通过支持多电平信号传输接口的两个通道，接收作为多电平电压信号对的、与DQ信号的多位对应的电压。

11.一种磁性随机存取存储器MRAM，包括：

磁性存储单元，每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化；

时钟发生器，其生成：具有与时钟信号相同的相位的第一内部时钟信号、其相位从时钟信号相位延迟90度的第二内部时钟信号、通过反转第一内部时钟信号而获得的第三内部时钟信号、及通过反转第二内部时钟信号而获得的第四内部时钟信号；以及

接口电路，被配置为根据第一至第四内部时钟信号的上升沿来输入/输出从磁性存储单元读取或写到磁性存储单元的数据作为被称为DQ信号的数据输入/输出信号，

其中，接口电路被配置为响应于伴随DQ信号生成的数据选通信号而锁存DQ信号，并且第一至第四内部时钟信号的每个的沿发生在锁存的DQ信号的窗口中心。

12.一种磁性随机存取存储器MRAM，包括：

磁性存储单元，每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化；

时钟发生器，其生成：频率是时钟信号频率的两倍的第一内部时钟信号、其相位从第一内部时钟信号的相位延迟90度的第二内部时钟信号、通过反转第一内部时钟信号而获得的第三内部时钟信号、以及通过反转第二内部时钟信号而获得的第四内部时钟信号；以及

接口电路，其被配置为根据第一至第四内部时钟信号的上升沿来输入/输出从磁性存储单元读取或写到磁性存储单元的数据作为被称为DQ信号的数据输入/输出信号，

其中，接口电路被配置为响应于伴随DQ信号生成的数据选通信号而锁存DQ信号，并且第一至第四时钟信号的每个的沿发生在锁存的DQ信号的窗口中心。

13.一种磁性随机存取存储器MRAM，包括：

磁性存储单元，每个磁性存储单元根据磁化方向在至少两个状态之间变化；

延迟锁定环DLL，其被配置为接收使MRAM的操作同步的外部时钟信号，通过使用延迟元件将外部时钟信号延迟预定的时间段，并且生成与外部时钟信号同步的内部时钟信号；及

数据输入/输出缓冲器，其被称为DQ缓冲器，并且被配置为响应于内部时钟信号而锁存从磁性存储单元读取或写到磁性存储单元的数据。