[发明专利]非易失性存储器件和存储器系统及管理、擦除和编程方法

权利要求书

1.一种存储器系统的块管理方法，该存储器系统包括具有多个存储块的至少一个非易失性存储器件和控制所述至少一个非易失性存储器件的存储器控制器，该方法包括：

在存储块上执行M比特编程操作，M是自然数；

当在M比特编程操作之后需要对存储块的擦除操作时，执行快速擦除操作以便将存储块中的存储单元的阈值电压设置为伪擦除状态；

使用伪擦除状态执行存储块的N比特编程操作，N是正整数；

当在N比特编程操作之后需要对存储块的擦除操作时，执行正常擦除操作以便将存储块中的存储单元的阈值电压设置为擦除状态；以及

当在N比特编程操作之后需要对存储块的擦除操作时，确定是否重复快速擦除操作；

其中，擦除状态低于第一擦除验证电平，伪擦除状态低于第二擦除验证电平，而且第二擦除验证电平高于第一擦除验证电平，

其中，根据存储块的正常擦除操作、编程操作或者读取操作的成功率来确定是否重复所述快速擦除操作，并且

其中，当正常擦除操作的成功率超过参考值时，执行所述快速擦除操作。

2.如权利要求1所述的块管理方法，其中，在M比特编程操作期间，M比特的数据被同时存储在存储单元中。

3.如权利要求1所述的块管理方法，其中执行M比特编程操作包括：

对于页执行最低有效位编程操作；以及

对于该页执行最高有效位编程操作。

4.如权利要求1所述的块管理方法，还包括：

当正常擦除操作的成功率超过参考值时，确定将被覆写的比特。

5.如权利要求1所述的块管理方法，其中，N比特编程操作使用比M比特编程操作的最高状态更高的状态来执行覆写操作。

6.如权利要求1所述的块管理方法，其中，N小于M。

7.一种存储器系统的块管理方法，该存储器系统包括具有多个存储块的至少一个非易失性存储器件和控制所述至少一个非易失性存储器件的存储器控制器，该方法包括：

在存储块上执行M比特编程操作，M是自然数；

当在M比特编程操作之后需要对存储块的擦除操作时，执行快速擦除操作以便将存储块中的存储单元的阈值电压设置为伪擦除状态；

使用伪擦除状态执行存储块的N比特编程操作，N是正整数；

当在N比特编程操作之后需要对存储块的擦除操作时，执行正常擦除操作以便将存储块中的存储单元的阈值电压设置为擦除状态；以及

当在N比特编程操作之后需要对存储块的擦除操作时，确定是否重复快速擦除操作；

其中，擦除状态低于第一擦除验证电平，伪擦除状态低于第二擦除验证电平，而且第二擦除验证电平高于第一擦除验证电平，

其中，根据存储块的正常擦除操作、编程操作或者读取操作的成功率来确定是否重复所述快速擦除操作，并且

其中，当正常擦除操作或者编程操作的周期低于参考值时，执行所述快速擦除操作。

8.一种存储器系统的块管理方法，该存储器系统包括具有多个存储块的至少一个非易失性存储器件和控制所述至少一个非易失性存储器件的存储器控制器，该方法包括：

在存储块上执行M比特编程操作，M是自然数；

当在M比特编程操作之后需要对存储块的擦除操作时，执行快速擦除操作以便将存储块中的存储单元的阈值电压设置为伪擦除状态；

使用伪擦除状态执行存储块的N比特编程操作，N是正整数；

当在N比特编程操作之后需要对存储块的擦除操作时，执行正常擦除操作以便将存储块中的存储单元的阈值电压设置为擦除状态；以及

当在N比特编程操作之后需要对存储块的擦除操作时，确定是否重复快速擦除操作；

其中，擦除状态低于第一擦除验证电平，伪擦除状态低于第二擦除验证电平，而且第二擦除验证电平高于第一擦除验证电平，

其中，根据存储块的正常擦除操作、编程操作或者读取操作的成功率来确定是否重复所述快速擦除操作，并且

其中，当正常擦除操作或者编程操作的周期超过参考值时，执行所述快速擦除操作。