[发明专利]保护元件、半导体装置及电子系统无效
申请号: | 201310291110.3 | 申请日: | 2013-07-11 |
公开(公告)号: | CN103580016A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 巽孝明 | 申请(专利权)人: | 索尼公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人: | 褚海英;陈桂香 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 保护 元件 半导体 装置 电子 系统 | ||
1.一种保护元件,其包括:
第一配线,当电流接通时所述第一配线被提供有信号电压;
第二配线,其被提供有基准电压;
检测电路,其连接于所述第一配线与所述第二配线之间并用于检测输入至所述第一配线上的所述信号电压;
反相电路,其包括连接于所述第一配线与所述第二配线之间的多个反相器,当电流接通时,所述反相电路在第奇数个反相器与第偶数个反相器之间被提供有与所述信号电压具有相同电平的参考电压;以及
保护晶体管,其连接于所述第一配线与所述第二配线之间,并具有用于接收所述反相电路的输出的门极。
2.如权利要求1所述的保护元件,其中,
所述参考电压被提供至最后一级的反相器的输入端子,以及
当电流断开时,处于所述最后一级的反相器的前一级的反相器的输出被输入至所述最后一级的反相器的所述输入端子中。
3.如权利要求2所述的保护元件,其中,
如果当电流接通时大于所述参考电压的电压被输入至所述第一配线上,则处于所述最后一级的反相器的前一级的反相器的输出被输入至所述最后一级的所述输入端子中。
4.如权利要求3所述的保护元件,其中,所述反相电路包括奇数个所述反相器,并且所述保护晶体管的沟道导电类型为n型。
5.如权利要求3所述的保护元件,其中,所述反相电路包括偶数个所述反相器,并且所述保护晶体管的沟道导电类型为p型。
6.如权利要求3所述的保护元件,其中,所述检测电路包括串联的电阻元件与电容元件,所述电阻元件被设置成连接至所述第一配线,且所述电容元件被设置成连接至所述第二配线,并且
所述电阻元件与所述电容元件之间的连接点被连接至所述反相电路的第一级反相器的输入端子。
7.一种半导体装置,其包括:
如权利要求1~6中的任一项所述的保护元件;以及
被保护电路,其连接至所述第一配线。
8.如权利要求7所述的半导体装置,其中,所述被保护电路包括通过预定的信号脉冲而熔断的电熔丝。
9.如权利要求7所述的半导体装置,其中,所述被保护电路包括通过预定的信号脉冲而被连接的反熔丝。
10.一种电子系统,其中,所述电子系统包括如权利要求7~9中的任一项所述的半导体装置。
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