[发明专利]一种用于生长硼酸铯锂单晶的籽晶及其应用有效
| 申请号： | 201310291174.3 | 申请日： | 2013-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN103397384A | 公开（公告）日： | 2013-11-20 |
| 发明（设计）人： | 王增梅;王珠峰 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | C30B29/22 | 分类号： | C30B29/22 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 沈振涛 |
| 地址： | 211189 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 生长 硼酸 铯锂单晶 籽晶 及其 应用 | ||
【权利要求书】：
1.一种用于生长硼酸铯锂单晶的籽晶，其特征在于：所述籽晶底部为点状结构。
2.根据权利要求1所述的一种用于生长硼酸铯锂单晶的籽晶，其特征在于：所述籽晶下部为锥形结构。
3.根据权利要求2所述的一种用于生长硼酸铯锂单晶的籽晶，其特征在于：所述籽晶上部为柱状结构。
4.根据权利要求3所述的一种用于生长硼酸铯锂单晶的籽晶，其特征在于：所述籽晶全长为8-35mm；其上部柱状结构边长为2-9mm，下部锥形结构长为5-20mm、锥角为15-75°、顶点直径为2mm以下。
5.根据权利要求1所述的一种用于生长硼酸铯锂单晶的籽晶，其特征在于：所述籽晶底部的点状结构通过切割、打磨制成。
6.权利要求1至5任一项所述的籽晶在硼酸铯锂单晶的生长中的应用。
7.如权利要求6所述的应用，其特征在于：包括以下步骤：硼酸铯锂原料加热熔融后，缓慢降温至饱和点，将籽晶底部点状结构浸入熔融的硼酸铯锂原料中，旋转籽晶，即在籽晶底部点状结构上生长出硼酸铯锂单晶。
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