[发明专利]一种净化装置

权利要求书

1.一种净化装置，所述装置包括水触媒发生装置、清洗水槽、超声波换能器和水泵，其特征在于所述水触媒发生装置的电极为钛合金电极，其上涂覆纳米级粒径的钴、铂、铈、钆、铕、钌和锑组成的经100—120℃下烘干、400～680℃下烧结制备的1～2微米厚的复合层；所述电极基材为钛合金，按质量份计，含Al：8.2～8.4；Sn：6.0～6.5；Cr：6.0～6.5；Mo：6.0～6.5；Zr：6.0～6.5；Fe：0.29～0.32；C：0.08～0.15；O：0.11～0.25；N：0.004～0.1；H：0.0015～0.025；Si：0.1～0.25，其余为钛和不可避免的杂质。

2.根据权利要求1的净化装置，其特征在于所述钴：铂：铈：钆：铕：钌：锑质量比=15～30：5～15：9～17：2～8：3～12：14～21：2～10，粒径为5～30nm；所述钛合金含Al：8.3；Sn：6.1～6.4；Cr：6.1～6.4。

3.根据权利要求1的净化装置，其特征在于所述钴：铂：铈：钆：铕：钌：锑质量比=15～28：5～13：10～17：3～8：4～12：15～21：3～10，粒径为5～30nm；所述钛合金含Mo：6.1～6.4；Zr：6.1～6.4；Fe：0.29～0.31。

4.根据权利要求1的净化装置，其特征在于所述钴：铂：铈：钆：铕：钌：锑质量比=17～28：6～13：10～16：3～7：4～11：16～20：3～9，粒径为5～30nm；所述钛合金含C：0.09～0.13；O：0.15～0.22；N：0.031～0.1。

5.根据权利要求1的净化装置，其特征在于所述烧结温度为400～450℃，所述钴：铂：铈：钆：铕：钌：锑质量比=18～28：7～13：11～16：4～7：4～9：17～20：3～8，粒径为5～30nm；所述钛合金含H：0.017～0.021；Si：0.14～0.21。

6.根据权利要求1的净化装置，其特征在于所述钴：铂：铈：钆：铕：钌：锑质量比=18～25：7～11：11～14：4～6：4～8：17～19：3～7，粒径为5～30nm；所述钛合金含Al：8.2～8.3；Sn：6.1～6.3；Cr：6.1～6.3；Mo：6.1～6.3；Zr：6.1～6.3。

7.根据权利要求1的净化装置，其特征在于所述钴：铂：铈：钆：铕：钌：锑质量比=18～22：7～10：11～13：4～5：4～7：17～18：4～7，粒径为5～30nm；所述钛合金含Fe：0.29～0.31；C：0.09～0.13；O：0.18～0.22；Si：0.21～0.24。

8.根据权利要求1的净化装置，其特征在于所述超声波换能器包括发射头、绝缘垫片、压电薄片、质量片和电极；所说发射头、绝缘垫片、压电薄片和质量片依次设置在同一轴线上；所述电极是由金属Ti制备的电极；所述压电薄片为10μm厚的替代的芳族和醌型序列；所述钴：铂：铈：钆：铕：钌：锑质量比=19：9：12：5：6：17：6，粒径为5～30nm；所述钛合金含所述超声波换能器包括Al：8.3；Sn：6.2～6.4；Cr：6.2～6.4；Fe：0.30；C：0.11～0.12；O：0.19～0.22；H：0.019～0.021；Si：0.16～0.22。

9.根据权利要求8的净化装置，其特征在于所述绝缘垫片分别位于所述发射头和质量片内端的数目为两个的绝缘片，其内端设有向左或右转10～90度的轴向剖面为凹字型且其左右突出部分别位于所述压电薄片间的、其底端到圆心的半径大于所述绝缘片的半径的第一电极片；位于所述凹字型电极片的内侧轴向依次设置压电材料片、直径大于所述压电材料片的第二电极片和压电材料片。