[发明专利]一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法无效

专利信息
申请号: 201310291215.9 申请日: 2013-07-11
公开(公告)号: CN103345028A 公开(公告)日: 2013-10-09
发明(设计)人: 査国伟;牛智川;倪海桥;李密锋;喻颖;王莉娟;徐建星;尚向军;贺振宏 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 任岩
地址: 100083 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 光纤 光电子 器件 垂直 耦合 方法
【权利要求书】:

1.一种光纤与光电子器件垂直耦合的方法,其特征在于,该方法包括:

在光电子器件(4)表面预涂一层光刻胶(2);

利用光刻技术在光电子器件(4)表面形成对准孔(3)阵列;

在光纤(1)的端部剥去涂覆层露出光纤内芯;

在显微镜及位移平台的辅助下将光纤(1)端部露出的光纤内芯插入对准孔(3)内,并用胶体固定。

2.根据权利要求1所述的光纤与光电子器件垂直耦合的方法,其特征在于,所述光刻胶(2)选用标准为能够适应相应的厚胶工艺,在工艺上能够实现1∶1以上的高宽比,同时能够提供较好的机械支撑以适应对准孔的要求。

3.根据权利要求1或2所述的光纤与光电子器件垂直耦合的方法,其特征在于,所述光刻胶(2)为SU-8树脂胶,厚度为100-500微米。

4.根据权利要求1所述的光纤与光电子器件垂直耦合的方法,其特征在于,所述露出的光纤内芯的长度为1-3厘米。

5.根据权利要求1所述的光纤与光电子器件垂直耦合的方法,其特征在于,所述对准孔(3)的直径与剥去涂覆层的光纤内芯一致。

6.根据权利要求5所述的光纤与光电子器件垂直耦合的方法,其特征在于,对于标准光纤,所述对准孔(3)的直径为125μm;对于塑料光纤,所述对准孔(3)的直径为500μm-2mm。

7.根据权利要求1所述的光纤与光电子器件垂直耦合的方法,其特征在于,所述对准孔(3)的位置对准光电子器件(4)的出光口。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310291215.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top