[发明专利]VDMOS器件制造方法

权利要求书

1.一种VDMOS器件制造方法，其特征在于，包括：

提供半导体器件；

在所述半导体器件上形成具有开口的第一保护层，所述开口露出所述半导体器件的顶面；

沉淀第二保护层，所述第二保护层覆盖所述第一保护层和所述半导体器件的顶面；

刻蚀所述第二保护层，以去除覆盖在所述第一保护层顶面和所述半导体器件顶面上部分的所述第二保护层、仅余覆盖在所述开口的侧壁表面的所述第二保护层形成侧墙；

刻蚀所述半导体器件形成沟槽，所述沟槽位于所述开口内；

生长第一栅极氧化层和多晶硅层，所述第一栅极氧化层覆盖于所述沟槽的表面，所述多晶硅层覆盖所述第一栅极氧化层、所述侧墙及所述第一保护层；

刻蚀所述多晶硅层形成栅极；

去除所述侧墙，并在所述栅极旁形成源区；

热氧化所述栅极和所述源区的顶面，形成第二栅极氧化层；

去除所述第一保护层，形成位于所述第二栅极氧化层之间的接触孔；

形成源极金属层、漏极金属层和栅极金属层；

所述提供半导体器件包括：

在半导体衬底上形成外延层；

生长垫氧层，所述垫氧层覆盖所述外延层；

注入P型体区，所述P型体区位于所述外延层与所述垫氧层之间；

所述去除所述第一保护层之后，还包括：

去除所述垫氧层；

所述在半导体器件上形成具有开口的第一保护层，具体包括：

在所述垫氧层上生长出厚度为0.1～0.5μm的氮化层；

光刻、刻蚀所述氮化层和垫氧层形成所述开口；

所述带有开口的氮化层为所述第一保护层；

所述第二保护层为二氧化硅层；

所述去除所述侧墙，并在所述栅极旁形成源区，具体包括：

用氢氟酸腐蚀去除所述侧墙；

注入磷或砷离子、并在炉管中驱入以形成所述源区；

所述第二栅极氧化层顶面高于所述第一保护层的顶面、或者与所述第一保护层的顶面平齐。

2.根据权利要求1所述的VDMOS器件制造方法，其特征在于，

所述第一保护层与第二保护层为不同物质，以在刻蚀所述第二保护层时，保留所述第一保护层。

3.根据权利要求1所述的VDMOS器件制造方法，其特征在于，

所述沟槽露出所述外延层。