[发明专利]全背接触太阳电池电极及其制作方法

权利要求书

1.一种全背接触太阳电池电极，该电极由细栅金属电极一(31)、细栅金属电极二(32)、主栅电极一(33)、主栅电极二(34)和介电层一(35)组成；所述细栅金属电极一(31)、细栅金属电极二(32)和主栅电极一(33)、主栅电极二(34)全部位于半导体衬底的表面一(30)；所述细栅金属电极一(31)和细栅金属电极二(32)呈叉指状交替排布；所述主栅电极一(33)分别与细栅金属电极一(31)、细栅金属电极二(32)呈交叉排布；所述主栅电极二(34)分别与细栅金属电极一(31)、细栅金属电极二(32)呈交叉排布；其特征在于：所述表面一(30)上设有一介电层一(35)，所述介电层一(35)位于主栅电极一(33)和细栅金属电极二(32)之间以及位于主栅电极二(34)和细栅金属电极一(31)之间。

2.根据权利要求1所述的一种全背接触太阳电池电极，其特征在于：所述的半导体衬底的主要表面一(30)覆盖有介电层二(36)，介电层二(36)是由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、非晶硅、碳化硅、氧化铝中的一种或多种组成的单层薄膜或多层薄膜。

3.根据权利要求1或2所述的一种全背接触太阳电池电极，其特征在于：所述的细栅金属电极一(31)和细栅金属电极二(32)局部或全部穿透介电层二(36)，直接与半导体衬底主要表面一(30)接触；其所述的主栅电极一(33)和主栅电极二(34)不穿透介电层二(36)，不与半导体衬底主要表面一(30)直接接触。

4.根据权利要求1所述的一种全背接触太阳电池电极，其特征在于：所述的介电层一(35)位于主栅电极一(33)和细栅金属电极二(32)之间、两者交叉重叠的位置，以及位于主栅电极二(34)和细栅金属电极一(31)之间、两者交叉重叠的位置；其所述的介电层一(35)的宽度大于与其接触的细栅金属电极一(31)或细栅金属电极二(32)的宽度，介电层一(35)长度大于与其接触的主栅电极一(33)或主栅电极二(34)的宽度；所述的主栅电极一(33)和细栅金属电极一(31)在两者交叉重叠的位置直接接触，主栅电极二(34)和细栅金属电极二(32)在两者交叉重叠的位置直接接触。

5.根据权利要求1所述的一种全背接触太阳电池电极，其特征在于：其所述的细栅金属电极一(31)和细栅金属电极二(32)的主要成分为银、铝、铜、镍或锡中的一种或多种；其所述的主栅电极一(33)和主栅电极二(34)是为银、铝、铜、镍或锡中的一种或多种组成的金属电极，或为有机物和导电颗粒所组成的复合电极。

6.根据权利要求1所述的一种全背接触太阳电池电极，其特征在于：所述的介电层一是以聚酰胺或聚酰胺-酰亚胺树脂为主要成分，其击穿电压大于1伏特/微米的绝缘膜层。

7.一种全背接触太阳电池电极的制作方法，其特征在于：该制作方法包括以下步骤：

步骤一：在半导体衬底主要表面一(30)沉积细栅金属电极一(31)，在半导体衬底主要表面一(30)沉积细栅金属电极二(32)；

步骤二：在步骤一所述的细栅金属电极一(31)和细栅金属电极二(32)之上的局部区域沉积介电层一(35)；

步骤三：在不平行于上述步骤一所述的细栅金属电极一(31)或细栅金属电极二(32)的方向上沉积主栅电极一(33)和主栅电极二(34)，主栅电极一(33)和细栅金属电极二(32)交叉重叠的部分通过介电层一(35)隔离，主栅电极二(34)和细栅金属电极一(31)交叉重叠的部分通过介电层一(35)隔离。

8.一种全背接触太阳电池电极的制作方法，其特征在于：该制作方法包括以下步骤：

步骤一：在半导体衬底主要表面一(30)沉积主栅电极一(33)，在半导体衬底主要表面一(30)沉积主栅电极二(34)；

步骤二：在步骤一所述的主栅电极一(33)和主栅电极二(34)之上的局部区域沉积介电层一(35)；

步骤三：在不平行于上述步骤一所述的主栅电极一(33)或主栅电极二(34)的方向上沉积细栅金属电极一(31)和细栅金属电极二(32)，细栅金属电极一(31)和主栅电极二(34)交叉重叠的部分通过介电层一(35)隔离，细栅金属电极二(32)和主栅电极一(33)交叉重叠的部分通过介电层二(36)隔离。