[发明专利]一种镀膜方法、装置及显示器

权利要求书

1.一种镀膜的方法，其特征在于，该方法包括：

在溶液槽的底部设置下基板，并在其上方设置上基板，将待镀基板吸附于上基板上，且待镀基板面向溶液槽；

在溶液槽中加入待镀物的溶液，其中包括用于形成单层分子膜的待镀离子；

在下基板和上基板上同时施加外场作用力，使得所述溶液中的待镀离子形成单层分子膜；

将所述单层分子膜在待镀基板表面形成薄膜层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述单层分子膜在待镀基板表面形成薄膜层包括：

将上基板向所述单层分子膜移动，在外场作用力下，将单层分子膜吸附到待镀基板上；

提拉上基板，并将吸附有单层分子膜的待镀基板进行热固化处理，使得在待镀基板表面形成薄膜层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，将吸附有单层分子膜的待镀基板进行热固化处理，包括：

将吸附有单层分子膜的待镀基板进行预固化，其中固化温度为130±5℃，固化时间为80s；

将吸附有单层分子膜的待镀基板再次进行固化，其中固化温度为230±5℃，固化时间为1500s。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，该方法还包括：通过在溶液槽中多次注入包含有待镀离子的溶液，并在下基板和上基板上同时施加外场作用力，在待镀基板表面形成多层薄膜层。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待镀离子，包括单一离子或复合离子。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述外场作用力为电场力或磁场力。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述电场力为匀强电场力，所述磁场力为匀强磁场力。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成所述单层分子膜之后，该方法还包括：

将溶液槽中不用于形成所述单层分子膜的剩余离子通过溶液槽底部的排出口排出。

9.一种通过权利要求1-8任一权项所述方法进行镀膜的装置，其特征在于，所述装置包括：溶液槽、用于对溶液槽中的溶液施加外场作用力以使得将溶液中的待镀离子形成单层分子膜的上基板和下基板；其中，上基板位于溶液槽上方，下基板位于溶液槽底部，并且上基板还用于吸附待镀基板。

10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述装置还包括用于将吸附有单层分子膜的待镀基板进行热固化处理的加热箱。

11.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述装置中的溶液槽底部设置有注入口与排出口，其中待镀离子的溶液通过注入口注入溶液槽中，溶液槽中不用于形成单层分子膜的剩余离子通过排出口排出。

12.一种显示器，其特征在于，所述显示器中的薄膜层包括用权利要求9、10或11所述的镀膜装置所制备的薄膜。