[发明专利]基底和断裂准备至少一个功率半导体构件的基底的方法

权利要求书

1.一种断裂准备至少一个功率半导体构件的基底（1）的方法，其具有以下方法步骤：

a）提供所述基底（1），其中，所述基底（1）具有不导电的绝缘材料体（2），

b）在所述绝缘材料体（2）上沿着所述基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）进行材料剥除，其中，材料剥除以如下方式执行，即，在至少两个期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）相会的角区域（14）中执行相对于在期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）的其余区域（17）中所执行的材料剥除更高度的材料剥除。

2.根据前述权利要求之一所述的方法，其特征在于，所述材料剥除借助激光射束（20）来执行。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述材料剥除借助脉冲式激光射束（20）来执行，并且所述脉冲式激光射束（20）为了实现所述材料剥除沿着所述期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）将凹部（18、18'、18''）引入所述绝缘材料体（2）中。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述激光射束（20）在所述至少两个期望的断裂棱边相会的角区域（14）中比在所述期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）的其余区域（17）中沿着所述期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）每长度单位将更多的凹部（18、18'）引入所述绝缘材料体（2）中。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述脉冲式激光射束（20）以如下方式将所述凹部（18、18'、18''）引入所述绝缘材料体（2）中，即，在第一分方法步骤中，所述激光射束（20）沿着所述基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）将第一凹部（18）引入所述绝缘材料体（2）中，而在第二分方法步骤中，所述激光射束（20）在所述至少两个期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）相会的角区域（14）中沿着期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）将第二凹部（18'）引入所述绝缘材料体（2）中。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述第一和第二凹部（18、18'）以如下方式布置，即，所述第一和第二凹部（18、18'）的中心（M）在位置上一致，或所述第一和第二凹部（18、18'）的中心（M）彼此错开地布置。

7.根据权利要求2至6之一所述的方法，其特征在于，所述激光射束（2）在所述至少两个期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）相会的角区域（14）中的功率比所述激光射束（20）在所述期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）的其余区域（17）中的功率高。

8.根据权利要求5或6所述的方法，其特征在于，在所述第一和第二分方法步骤中，所述激光射束（20）具有相同的功率。

9.一种用于断裂至少一个功率半导体构件的基底的方法，其中，所述方法包含根据前述权利要求之一所述的断裂准备至少一个功率半导体构件的基底的方法，其中，所述用于断裂至少一个功率半导体构件的基底的方法具有以下另一方法步骤：

c）沿着所述基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）断裂所述基底（1）。

10.一种用于至少一个功率半导体构件的基底，其中，所述基底（1）具有不导电的绝缘材料体（2），其中，沿着所述基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E），所述绝缘材料体（2）的材料被剥除，其中，在至少两个期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）相会的角区域（14）中沿着期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）比在其余区域中沿着期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）每长度单位剥除更多的材料。