[发明专利]一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法无效

专利信息
申请号: 201310291973.0 申请日: 2013-07-12
公开(公告)号: CN103409652A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 肖爽怀 申请(专利权)人: 上海川禾实业发展有限公司
主分类号: C22C1/04 分类号: C22C1/04;C22C27/04
代理公司: 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 代理人: 陈淑章
地址: 201702 *** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 一种 氧化物 表面 改性 金属 体制 合金材料 方法
【权利要求书】:

1.一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,包括如下步骤:

(1)原料预混:将金属粉末与钼氧化物粉末均匀混合,其中,根据最终制得的粉料中钼的含量以及氧化钼中钼的含量,理论推算对应的钼氧化物的添加量;

(2)蒸发沉积:将混合好的原料在还原气氛的保护下升温,温度控制在300-1100℃的范围内,保持2-6小时,完成钼氧化物的蒸发沉积;

(3)还原扩散:将经过蒸发沉积后的粉末在还原气氛的保护下,加热至600-1100℃的范围内,保持3-8小时,实现钼氧化物的还原以及扩散预合金化,最终制得钼合金材料。

2.根据权利要求1所述的一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,其特征在于:所述步骤(1)中的金属粉末选自镍、铬、铁、铥、钛中的一种或几种的混合物。

3.根据权利要求1所述的一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,其特征在于:所述步骤(1)中的钼氧化物为二氧化钼或三氧化钼。

4.根据权利要求1所述的一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,其特征在于:所述步骤(1)中的钼氧化物的颗粒直径为小于500微米。

5.根据权利要求1所述的一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,其特征在于:所述步骤(2)中的蒸发沉积的温度控制在400-900℃的范围内。

6.根据权利要求1所述的一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,其特征在于:所述步骤(2)中蒸发沉积的还原气氛由还原气体和保护气体组成,两者的体积比为0.1-1:0-1,其中,还原气体为氢气或一氧化碳,保护气体为氮气。

7.根据权利要求1所述的一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,其特征在于:所述步骤(3)中的还原扩散为:将经过蒸发沉积后的粉末与其他合金元素粉末混合,在还原气氛的保护下,加热至600-1100℃的范围内,保持3-8小时,实现钼氧化物的还原以及扩散预合金化,最终制得钼合金材料;所述的其他合金元素为除步骤(1)所述金属以外的其他金属基材。

8.根据权利要求1或7所述的一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,其特征在于:所述步骤(3)中的还原扩散的温度控制在800-1000℃的范围内。

9.根据权利要求1或7所述的一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,其特征在于:所述步骤(3)中还原扩散的还原气氛由氢气和氮气组成,其体积比为0.1-1:0-1。

10.根据权利要求1所述的一种以钼氧化物表面改性金属粉体制备钼合金材料的方法,其特征在于:所述钼合金材料为基材粉体表面附着有平均粒度小于1微米的钼沉积颗粒或者厚度小于2微米的钼涂层。

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