[发明专利]一种光学晶体掺杂方法

权利要求书

1.一种光学晶体掺杂方法，其特征在于：对光学晶体掺杂氢元素。

2.根据权利要求1所述的光学晶体掺杂方法，其特征在于：所述光学晶体包括线性光学晶体和非线性光学晶体。

3.根据权利要求1所述的光学晶体掺杂方法，其特征在于：所述光学晶体为硼酸铯锂晶体。

4.根据权利要求1所述的光学晶体掺杂方法，其特征在于：所述氢元素包括氢分子、氢原子和氢离子。

5.根据权利要求1、2、3或4所述的光学晶体掺杂方法，其特征在于：该方法为光学晶体的原料制备过程、光学晶体的生长过程和/或光学晶体后处理过程中的氢气掺杂。

6.根据权利要求5所述的光学晶体掺杂方法，其特征在于：所述光学晶体后处理过程中的氢气掺杂具体为：首先将光学晶体沿设计方向进行切割、打磨、抛光处理，然后将处理好的光学晶体放置于掺氢设备中，对光学晶体进行一定时间的掺氢处理；所述掺氢处理的温度为0～500℃，氢气的压力范围为1～20MPa。

7.根据权利要求1所述的光学晶体掺杂方法，其特征在于：所述光学晶体为硼酸铯锂晶体，所述光学晶体后处理过程中的氢气掺杂具体为：首先将硼酸铯锂晶体沿设计方向进行切割、打磨、抛光处理，然后将处理好的硼酸铯锂晶体放置于掺氢设备中，对硼酸铯锂晶体进行40h以上时长的掺氢处理；所述掺氢处理的温度为300℃以上，氢气的压力范围为2MPa以上。