[发明专利]像素阵列、图像传感器及补偿全局和局部暗电流的方法有效

专利信息
申请号: 201310292452.7 申请日: 2013-07-12
公开(公告)号: CN103546701B 公开(公告)日: 2018-05-29
发明(设计)人: 赵镛性;李东宰;金泰瓒 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H04N5/361 分类号: H04N5/361;H04N5/374;H04N5/378
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 王艳娇;王占杰
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 像素阵列 暗电流 暗像素 图像传感器 源像素块 光学黑色像素 全局 阴影 暗电流补偿 检测 输出
【权利要求书】:

1.一种图像传感器的像素阵列,包括:

有源像素块,包括多个有源像素和至少一个暗像素,其中,所述多个有源像素布置成行和列并被构造为输出与光信号相应的电信号,所述至少一个暗像素被构造为产生局部暗电流,局部暗电流指基于像素的局部不同性质而产生的暗电流;

光学黑色像素块,被布置在有源像素块周围并被构造为产生全局暗电流,

其中,光学黑色像素块包括至少一个列光学黑色像素块和至少一个帧光学黑色像素块,所述至少一个列光学黑色像素块与有源像素的列对应地布置并被构造为产生存在于有源像素的列之间的全局暗电流,所述至少一个帧光学黑色像素块与有源像素的行对应地布置并被构造为产生存在于帧之间的全局暗电流,全局暗电流指由有源像素块的全部有源像素产生的暗电流,

其中,所述至少一个暗像素包括至少一个被完全覆盖的像素和至少一个被部分覆盖的像素,所述至少一个被部分覆盖的像素位于与所述至少一个被完全覆盖的像素相邻的位置。

2.如权利要求1所述的像素阵列,其中,有源像素块包括具有相同像素布置的多个单元像素块,单元像素块中的每一个包括有源像素中的至少一个和所述至少一个暗像素。

3.如权利要求1所述的像素阵列,其中,有源像素块包括具有不同像素布置的多个单元像素块,单元像素块中的每一个包括有源像素中的至少两个和所述至少一个暗像素。

4.如权利要求1所述的像素阵列,其中,所述至少一个暗像素不包括光电二极管。

5.如权利要求1所述的像素阵列,其中,当产生局部暗电流时,所述至少一个暗像素响应于光学信号不执行光电转换。

6.如权利要求1所述的像素阵列,其中,当产生局部暗电流时,所述至少一个暗像素响应于光学信号不输出电信号。

7.一种图像传感器,包括:

包括有源像素块和光学黑色像素块的像素阵列,其中,所述有源像素块包括多个有源像素和至少一个暗像素,其中,所述多个有源像素被构造为输出与光学信号相应的电信号,并且所述至少一个暗像素被构造为产生局部暗电流,局部暗电流指基于像素的局部不同性质而产生的暗电流,所述光学黑色像素块被布置在有源像素块周围并被构造为产生全局暗电流,全局暗电流指由有源像素块的全部有源像素产生的暗电流;

补偿电路,被构造为使用从光学黑色像素块提供的全局暗电流来对有源像素中的全局暗电流进行补偿,并且被构造为使用从所述至少一个暗像素提供的局部暗电流来补偿有源像素的每一个的局部暗电流,

其中,补偿电路使用全局暗电流的电平,通过使有源像素中检测的电压的电平相等地增大或减小来对全局暗电流进行补偿,

其中,所述至少一个暗像素包括在光电二极管与微透镜之间形成的阻光层,以及

其中,所述至少一个暗像素包括至少一个被完全覆盖的像素和至少一个被部分覆盖的像素,所述至少一个被部分覆盖的像素位于与所述至少一个被完全覆盖的像素相邻的位置。

8.如权利要求7所述的图像传感器,其中,补偿电路包括:

暗像素标记器,被构造为从包括从有源像素的每一个输出的电信号的图像信号和从所述至少一个暗像素输出的局部暗电流提供所述至少一个暗像素的位置信息;

暗阴影补偿单元,被构造为使用从所述至少一个暗像素输出的局部暗电流和暗像素的位置信息来补偿有源像素的每一个中的局部暗电流。

9.如权利要求7所述的图像传感器,其中,有源像素块包括:具有相同像素布置的多个单元像素块,单元像素块的每一个包括有源像素中的至少一个和所述至少一个暗像素。

10.如权利要求7所述的图像传感器,其中,有源像素块包括具有不同像素布置的多个单元像素块,单元像素块的每一个包括有源像素中的至少两个和所述至少一个暗像素。

11.如权利要求10所述的图像传感器,其中,所述至少两个有源像素的数量与所述至少一个暗像素的数量不同。

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