[发明专利]铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜、制备方法及其应用

权利要求书

1.一种铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜，其特征在于，该铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜的化学通式为Me₅(AsO₄)₃Cl:xCe³⁺，其中Me₅(AsO₄)₃Cl是基质，0.01≤x≤0.05，其中，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。

2.根据权利要求1所述的铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜，其特征在于，所述铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜的厚度为80nm～300nm。

3.一种铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，在氩气气流的载体下，根据Me₅(AsO₄)₃Cl:xCe³⁺各元素的化学计量比将(DPM)₂Me、砷烷、氯化氢和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内；及

通入氧气，进行化学气相沉积得到化学通式为Me₅(AsO₄)₃Cl:xCe³⁺的铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜，其中Me₅(AsO₄)₃Cl是基质，0.01≤x≤0.05，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。

4.根据权利要求3所述的铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述衬底为铟锡氧化物玻璃、掺氟氧化锡玻璃、掺铝的氧化锌或掺铟的氧化锌。

5.根据权利要求3所述的铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，所述氩气气流量为5～15sccm，所述氧气气流量为10～200sccm。

6.根据权利要求3所述的铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，将所述衬底装入所述反应室后先将所述衬底在200～700℃热处理10分钟～30分钟。

7.一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层的材料为铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜，该铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜的化学通式为Me₅(AsO₄)₃Cl:xCe³⁺，其中Me₅(AsO₄)₃Cl是基质，0.01≤x≤0.05，其中，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。

8.根据权利要求7所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的厚度为80nm～300nm。

9.一种薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供具有阳极的衬底；

在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜，该铈掺杂氯砷酸盐发光薄膜的化学通式为Me₅(AsO₄)₃Cl:xCe³⁺，其中Me₅(AsO₄)₃Cl是基质，0.01≤x≤0.05，其中，Me为Mg、Ca、Sr或Ba；及

在所述发光层上形成阴极。

10.根据权利要求9所述的薄膜电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述发光层的制备包括以下步骤：

将衬底装入化学气相沉积设备的反应室，并将反应室的真空度设置为1.0×10^-2Pa～1.0×10^-3Pa；

调节衬底的温度为250℃～650℃，转速为50转/分钟～1000转/分钟，在氩气气流的载体下，根据Me₅(AsO₄)₃Cl:xCe³⁺各元素的化学计量比将(DPM)₂Me、砷烷、氯化氢和四(2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮酸)铈通入反应室内；及

通入氧气，进行化学气相沉积在所述阳极上形成发光层，发光层的化学通式为Me₅(AsO₄)₃Cl:xCe³⁺，其中Me₅(AsO₄)₃Cl是基质，0.01≤x≤0.05，Me为Mg、Ca、Sr或Ba。