[发明专利]用于化学气相沉积的反应装置及反应制作工艺

权利要求书

1.一种用于化学气相沉积的反应装置，包括：

反应室；

托盘，配置于该反应室中；

进气管单元，包括至少一个进料口，该进料口水平朝向该托盘的周围区域，以输入至少一反应气体至该反应室，该至少一反应气体被引导由该托盘的周围区域沿着其表面移动至该托盘的中央；以及

排气管，包括一出料口，该出料口的位置对应于该托盘的中央，以将流动至该托盘的中央的气体排出于该反应室。

2.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的反应装置，其中该反应室具有一上侧壁以及一下侧壁，该反应室的一周围侧壁连接于该上侧壁与该下侧壁之间，而该进气管单元由该反应室的该周围侧壁连接至该反应室中。

3.如权利要求2所述的用于化学气相沉积的反应装置，其中该排气管由该反应器的该上侧壁或该下侧壁连接至该反应室中。

4.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的反应装置，其中该托盘可以旋转，该托盘的中央设有一转轴，用以驱动该托盘。

5.如权利要求4所述的用于化学气相沉积的反应装置，其中该排气管配置于该转轴内，并经由该转轴延伸至该托盘的中央。

6.如权利要求5所述的用于化学气相沉积的反应装置，其中该出料口位在该托盘的中央，并显露于该托盘的中央。

7.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的反应装置，其中该进料口包括多个第一反应气体进料口与多个第二反应气体进料口，该些第一与第二反应气体进料口彼此交错排列或以同心圆排列，其中交错排列的形式包括以独立的圆孔交错排列、以栅栏状的方孔交错排列或以长条状的狭缝交错排列。

8.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的反应装置，其中该进气管单元为单侧进料的进气管单元或多侧进料的多组进气管单元，且每一组进气管单元成对地配置于该反应室周围的二相对侧壁。

9.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的反应装置，其中该些进料口的高度最低位置不低于托盘的最高高度位置。

10.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的反应装置，还包括一抽气装置，连接该排气管，该抽气装置于该排气管内形成一负压，使该反应室内的该至少一反应气体往该托盘的中央移动，其中该至少一反应气体在该出料口附近的浓度小于在该些进料口附近的浓度，且该至少一反应气体在该出料口附近的流速大于在该些进料口附近的流速。

11.如权利要求1所述的用于化学气相沉积的反应装置，该进气管单元包括二组进料口，一组为III族反应气体进料口，一组为V族反应气体进料口。

12.如权利要求11所述的用于化学气相沉积的反应装置，其中该托盘下方设置一加热装置，用以加热该托盘。

13.一种气相有机金属外延反应制作工艺，用于一反应器以进行化学气相沉积，所形成的反应产物为III/V族化合物半导体，进料方式为气相进料，进料来源包括有机金属化合物，包括：TMGa(Trimethylgallium)、TMAl(Trimethylaluminum)、TMIn(Trimethylindium)、Cp2Mg(Bis(cyclopentadienyl)magnesium)及DIPTe(Diisopropyltelluride)其中之一；以及氢化物气体，包括：砷化氢(AsH3)、磷化氢(PH3)、氮化氢(NH3)及硅乙烷(Si2H6)其中之一，其中

该反应器的进料口水平朝向托盘的周围区域，以输入至少一反应气体至反应室，该至少一反应气体被引导由该托盘的周围区域沿着其表面移动至该托盘的中央；该反应器的排气管包括一出料口，该出料口的位置对应于该托盘的中央，以将流动至该托盘的中央的气体排出于该反应室。

14.如权利要求13所述的反应制作工艺，其中进料时有机金属化合物由一携带气体(Carrier Gas)输送入该反应器，氢化物气体与该携带气体混合后进入该反应器，该携带气体为氢气。

15.如权利要求13所述的反应制作工艺，其中该进料口包括二组进料口，一组为III族反应气体进料口，一组为V族反应气体进料口，该二组进料口彼此交错排列或以同心圆排列。