[发明专利]铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜、制备方法及其应用无效
申请号: | 201310293380.8 | 申请日: | 2013-07-12 |
公开(公告)号: | CN104277832A | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 周明杰;陈吉星;王平;冯小明 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | C09K11/69 | 分类号: | C09K11/69;H01L33/50;H01L33/00 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 何平 |
地址: | 518100 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 铕铽共 掺杂 钒酸盐 发光 薄膜 制备 方法 及其 应用 | ||
技术领域
本发明涉及发光材料领域,尤其涉及一种铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
背景技术
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点,已引起了广泛的关注,且发展迅速。目前,研究彩色及至全色TFELD,开发多波段发光的材料,是该课题的发展方向。但是,可应用于薄膜电致发光显示器的铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜,仍未见报道。
发明内容
基于此,有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜、其制备方法、使用该铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜的薄膜电致发光器件及其制备方法。
上述铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜(Me3(VO4)2:xEu3+,yTb3+)的电致发光光谱(EL)中,在490nm和510nm波长区都有很强的发光峰,这种铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。
附图说明
图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图;
图2为实施例1得到铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜的EL光谱图;
图3为实施例1得到铕铽共掺杂亚钒酸发光薄膜的XRD图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进,因此本发明不受下面公开的具体实施的限制。
一实施方式的铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜,该铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜的材料的化学通式为Me3(VO4)2:xEu3+,yTb3+。
其中,Me3(VO4)2是基质,Eu元素和Tb元素是激活元素,且x为0.01~0.05,y为0.01~0.04,Me为Mg、Ca、Sr或Ba。
需要注意的是,本实施方式的铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜中,激活元素Eu和Tb在结构组成中进入了V5+离子的晶格。
这种铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜的厚度为60nm~400nm。
上述铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜(Me3(VO4)2:xEu3+,yTb3+)的电致发光光谱(EL)中,在490nm和510nm波长区都有很强的发光峰,这种铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜能够应用于薄膜电致发光器件。
上述铕铽共掺杂亚钒酸盐发光薄膜的制备方法,包括如下步骤:
S11、根据Me3(VO4)2:xEu3+,yTb3+各元素的化学计量比称取MeO、V2O5、Eu2O3和Tb4O7粉体并混合均匀在900℃~1300℃下烧结制成靶材。
x为0.01~0.05,y为0.01~0.04,Me为Mg、Ca、Sr或Ba。
S11中,优选的,将MeO、V2O5、Eu2O3、和Tb4O7粉体并混合均匀在1250℃下烧结制成Ф50mm×2mm的陶瓷靶材。
S12、提供衬底并对衬底进行预处理后,将S11得到的靶材与衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体,并调整1.0×10-3Pa~1.0×10-5Pa。
对衬底进行预处理的操作可以为:用丙酮、无水乙醇和去离子水依次超声清洗衬底,接着对衬底进行氧等离子处理。
本实施方式中,衬底为ITO(氧化铟锡)玻璃,玻璃层作为基层,ITO层作为导电层。
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